产品概述
23N50D 是一款 500V、23A 高压功率 MOSFET，采用 TO-3PN 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。核心特点/优势
- 500V 耐压与 23A 电流能力，满足高压大功率场景需求
- 低导通损耗设计，显著提升系统转换效率
- TO-3PN/TO-3P 金属封装，具备优异的散热性能与机械强度
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合系统工作电压、负载电流、散热条件及开关频率进行综合选型；使用前务必核对最新 datasheet 参数，并在电路设计中配置过压、过流及防静电保护电路，以确保器件长期可靠运行。
23N50D MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Continuous Drain Current | 23A | |
| Continuous Source Current | 23A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 500V | |
| Drain-Source On Resistance | 0.22 ~ 0.28Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate-to-Drain Charge | 18.6nC | |
| Gate-to-Source Charge | 12.6nC | |
| Input Capacitance | 2919pF | |
| Output Capacitance | 277pF | |
| Package | TO-3PN; TO-3P | |
| Reverse Recovery Charge | 5671nC | |
| Reverse Recovery Time | 535ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 16pF | |
| Total Gate Charge | 52nC | |
| Turn-off Delay Time | 82ns | |
| Turn-off Fall Time | 45ns | |
| Turn-on Delay Time | 34ns | |
| Turn-on Rise Time | 65ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA | |
| Zero Gate Voltage Drain Current (125°C) | 100μA |
产品替代
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资料下载
23N50D MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_23N50D_Datasheet_V1.1 | 1.45 MB | 下载 |
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