产品概述
F13N50 是一款 500V、13A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。核心特点/优势
- 500V 耐压与 13A 电流能力，满足高压大功率场景需求
- 低导通损耗特性，显著降低开关过程中的能量损耗，提升系统整体效率
- 采用 TO-220F 封装设计，具备优异的散热性能，便于系统热管理
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合系统工作电压、额定电流、散热条件及开关频率进行选型；设计使用前请务必核对最新 Datasheet 技术参数，并在电路外围配置过压、过流及防静电保护电路，以确保器件长期稳定运行。
F13N50 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Source Current | 13A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain Source Breakdown Voltage | 500V | |
| Drain Source On Resistance | 0.35 ~ 0.45Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate To Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate To Drain Charge | 14nC | |
| Gate To Source Charge | 9.2nC | |
| Input Capacitance | 1957pF | |
| Output Capacitance | 195pF | |
| Package | TO-220F | |
| Rated Drain Current | 13A | |
| Reverse Recovery Charge | 4500nC | |
| Reverse Recovery Time | 520ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 44pF | |
| RoHS | Pb-free | |
| Total Gate Charge | 40nC | |
| Turn Off Delay Time | 62ns | |
| Turn Off Fall Time | 32ns | |
| Turn On Delay Time | 28ns | |
| Turn On Rise Time | 21ns | |
| Voltage Change Rate | 12V/ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA |
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资料下载
F13N50 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F13N50_Datasheet_V1.2 | 1.54 MB | 下载 |
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