产品概述
F8N50 是一款 500V、8A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 500V 耐压与 8A 电流能力
- 低导通损耗，适用于高效率开关
- TO-220F 封装，便于系统散热
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
F8N50 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Continuous Drain Current | 8 A | |
| Continuous Source Current | 8 A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5 V | |
| Drain Source Breakdown Voltage | 500 V | |
| Drain Source On Resistance | 0.72 ~ 0.9 Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0 V | |
| Gate to Body Leakage Current | ±100 nA | |
| Gate to Drain Charge | 9 nC | |
| Gate to Source Charge | 5 nC | |
| Input Capacitance | 1121 pF | |
| Output Capacitance | 110 pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 1830 nC | |
| Reverse Recovery Time | 385 ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 7 pF | |
| Total Gate Charge | 24 nC | |
| Turn off Delay Time | 44 ns | |
| Turn off Fall Time | 15 ns | |
| Turn on Delay Time | 18 ns | |
| Turn on Rise Time | 20 ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1 μA |
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资料下载
F8N50 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F8N50_Datasheet_V1.0 | 1.27 MB | 下载 |
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