产品概述
8N50 是一款 500V、8A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。
核心特点/优势
- 500V 耐压与 8A 电流能力，满足高压大功率需求
- 低导通损耗，适用于高效率开关应用，提升系统能效
- TO-220 封装设计，散热性能优异，便于系统热管理
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合电压、电流、散热条件和开关频率进行选型；使用前请核对随附 datasheet，并务必配置过压、过流及防静电保护措施，以确保系统安全与器件可靠性。
8N50 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Certifications | RoHS | |
| Continuous Drain Current | 8A | |
| Continuous Source Current | 8A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 500V | |
| Drain-Source On Resistance | 0.72Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate-to-Drain Charge | 5.5nC | |
| Gate-to-Source Charge | 5.9nC | |
| Input Capacitance | 1090pF | |
| Output Capacitance | 100pF | |
| Package | TO-220 | |
| Reverse Recovery Charge | 2550nC | |
| Reverse Recovery Time | 260ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 3.3pF | |
| Total Gate Charge | 19.5nC | |
| Turn-off Delay Time | 26.5ns | |
| Turn-off Fall Time | 15.5ns | |
| Turn-on Delay Time | 10.5ns | |
| Turn-on Rise Time | 14.5ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA |
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资料下载
8N50 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_8N50_Datasheet_V1.1 | 1.61 MB | 下载 |
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