产品概述
F5N50 是一款 500V、5A 高压功率 MOSFET，采用 TO-220F 封装，适用于高压、高效率功率变换应用。器件具备低导通损耗与可靠的开关性能。核心特点/优势
- 500V 耐压与 5A 电流能力
- 低导通损耗，适用于高效率开关
- TO-220F 封装，便于系统散热
应用领域
- 开关电源
- 适配器与充电器
- 工业电源
- 照明驱动
选型指南/使用建议
请结合电压、电流、散热条件和开关频率选型；使用前请核对随附 datasheet，并配置过压、过流及防静电保护。
F5N50 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 5A | |
| Continuous Source Current | 5A | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 500V | |
| Drain-Source On Resistance | 1.4 ~ 1.6Ω | |
| Gate Threshold Voltage | 2.0 ~ 4.0V | |
| Gate-to-Body Leakage Current | ±100nA | |
| Gate-to-Drain Charge | 3.1nC | |
| Gate-to-Source Charge | 3.2nC | |
| Input Capacitance | 570pF | |
| Output Capacitance | 55pF | |
| Package | TO-220F | |
| Reverse Recovery Charge | 1720nC | |
| Reverse Recovery Time | 225ns | |
| Reverse Transfer Capacitance | 1.5pF | |
| Total Gate Charge | 10.5nC | |
| Turn-off Delay Time | 15.5ns | |
| Turn-off Fall Time | 12ns | |
| Turn-on Delay Time | 7.8ns | |
| Turn-on Rise Time | 11.5ns | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 1μA; 100μA |
产品替代
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资料下载
F5N50 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_F5N50_Datasheet_V1.1 | 1.57 MB | 下载 |
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