产品概述
DGCF100F75H7 是一款 750V、100A IGBT，采用 TO247-4L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.45V，适用于 光伏、储能、充电桩 等高效功率变换系统。
核心特点/优势
- 750V 耐压与 100A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 1.45V，兼顾效率与可靠性
- 内置 FRD，适合高频功率开关
- TO247-4L 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
- 充电桩
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件选型；采购前请核对最新规格书参数，并配置过压、过流及防静电保护。
DGCF100F75H7 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4.6V | |
| 集电极电流 | 100A | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO-247-4L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 750V | |
| Collector-Emitter Leakage Current 175°C | 3000μA | |
| Collector-Emitter Leakage Current 25°C | 30μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.45V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage 175°C | 1.8V | |
| Diode Forward Voltage | 1.8V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 52A | |
| Diode Reverse Recover Charge | 1.51μC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 63ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction-to-Case | 0.42°C/W | |
| Fall Time 175°C | 64ns | |
| Fall Time 25°C | 22ns | |
| Gate Charge | 174nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | 250nA | |
| Input Capacitance | 5686pF | |
| Junction-to-Ambient Thermal Resistance | 40°C/W | |
| Junction-to-Case Thermal Resistance | 0.35°C/W | |
| Output Capacitance | 118pF | |
| Reverse Transfer Capacitance | 27pF | |
| Rise Time 175°C | 30ns | |
| Rise Time 25°C | 29ns | |
| Total Switching Energy 175°C | 4.84mJ | |
| Total Switching Energy 25°C | 3.06mJ | |
| Turn-Off Delay Time 175°C | 279ns | |
| Turn-Off Delay Time 25°C | 221ns | |
| Turn-Off Energy 175°C | 2.5mJ | |
| Turn-Off Energy 25°C | 1.25mJ | |
| Turn-On Delay Time 175°C | 32ns | |
| Turn-On Delay Time 25°C | 31ns | |
| Turn-On Energy 175°C | 2.34mJ | |
| Turn-On Energy 25°C | 1.81mJ |
产品替代
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资料下载
DGCF100F75H7 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGCF100F75H7_Datasheet_V1.0 | 4.09 MB | 下载 |
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