产品概述
DGC100F65H7 是一款 650V、100A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.45V，适用于光伏、储能、充电桩等高效功率变换系统。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 100A 集电极电流能力，满足高功率应用场景需求
- 典型 VCE(sat) 仅 1.45V，大幅降低导通损耗，兼顾高效率与高可靠性
- 内置快恢复二极管（FRD），反向恢复特性优异，特别适合高频功率开关应用
- 采用 TO247-3L 标准封装，散热性能优异，便于自动化装配与系统可靠性设计
应用领域
- 光伏逆变器系统
- 储能变流器（PCS）
- 电动汽车充电桩
选型指南/使用建议
建议结合实际系统的母线电压、开关频率及散热条件进行综合选型；采购前请务必核对最新规格书参数，并在电路设计中配置完善的过压、过流及防静电（ESD）保护电路，以确保系统安全稳定运行。
DGC100F65H7 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4.6V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO-247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 30μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.45V | |
| Diode Forward Voltage | 1.8V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 26A | |
| Diode Reverse Recover Charge | 1.46μC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 99ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 0.42°C/W | |
| Fall Time | 84ns | |
| Gate Charge | 174nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Case | 0.35°C/W | |
| Input Capacitance | 5686pF | |
| Output Capacitance | 118pF | |
| Reverse Transfer Capacitance | 27pF | |
| Rise Time | 21ns | |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| Total Switching Energy | 5.95mJ | |
| Turn-Off Delay Time | 201ns | |
| Turn-Off Energy | 2.26mJ | |
| Turn-On Delay Time | 31ns | |
| Turn-On Energy | 3.69mJ |
产品替代
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资料下载
DGC100F65H7 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC100F65H7_Datasheet_V1.1 | 4.02 MB | 下载 |
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