产品概述
DGC75F65H7 是一款 650V、75A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.45V，适用于 光伏、储能、充电桩 等高效功率变换系统。
核心特点/优势
- 650V 耐压与 75A 集电极电流能力，满足高功率变换需求
- 典型 VCE(sat) 1.45V，兼顾转换效率与长期运行可靠性
- 内置 FRD，适合高频功率开关场景
- TO247-3L 封装设计，优化散热路径并便于可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
- 充电桩
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件选型；采购前请核对最新规格书参数，并配置过压、过流及防静电保护。
DGC75F65H7 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4.7V | |
| 集电极电流 | 75A | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 25μA; 2000μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.45V; 1.75V | |
| Diode Forward Voltage | 1.7V; 2.1V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 25A | |
| Diode Reverse Recover Charge | 1.26μC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 92ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 0.50°C/W | |
| Fall Time | 69ns; 64ns | |
| Gate Charge | 120nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Case | 0.43°C/W | |
| Input Capacitance | 3889pF | |
| Output Capacitance | 82pF | |
| Reverse Transfer Capacitance | 19pF | |
| Rise Time | 77ns; 79ns | |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| Total Switching Energy | 3.48mJ; 4.43mJ | |
| Turn-Off Delay Time | 171ns; 190ns | |
| Turn-Off Energy | 1.0mJ; 1.2mJ | |
| Turn-On Delay Time | 21ns; 20ns | |
| Turn-On Energy | 2.48mJ; 3.23mJ |
产品替代
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资料下载
DGC75F65H7 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC75F65H7_Datasheet_V1.1 | 3.83 MB | 下载 |
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