产品概述
DGC40F65H7 是一款 650V、40A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.4V，内置快恢复二极管（FRD），适用于光伏、储能、充电桩等高效功率变换系统。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 40A 集电极电流能力，满足中高功率应用需求
- 典型 VCE(sat) 低至 1.4V，有效降低导通损耗，兼顾系统效率与长期可靠性
- 内置高性能 FRD，反向恢复时间短（典型 80ns），非常适合高频功率开关应用
- 采用 TO247-3L 标准封装，具备优异的热传导性能，便于散热设计与可靠装配
应用领域
- 光伏逆变器
- 储能系统（PCS/BMS）
- 电动汽车充电桩
选型指南/使用建议
建议结合系统母线电压、目标开关频率及实际散热条件进行综合选型；采购前请务必核对最新官方规格书参数；在实际电路设计中，必须配置完善的过压、过流保护电路，并严格落实防静电（ESD）操作规范，以确保模块长期稳定运行。
DGC40F65H7 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 3.8 ~ 5.4V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 25μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6V; 2.0V | |
| Diode Forward Voltage | 1.6V; 2.1V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 15.5A | |
| Diode Reverse Recover Charge | 0.65μC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 80ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 1.03°C/W | |
| Fall Time | 58ns | |
| Gate Charge | 70nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Case | 0.74°C/W | |
| Input Capacitance | 2124pF | |
| Output Capacitance | 63pF | |
| Rated Current | 40A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 14pF | |
| Rise Time | 27ns | |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| Total Switching Energy | 1.44mJ | |
| Turn-Off Delay Time | 86ns | |
| Turn-Off Energy | 0.4mJ | |
| Turn-On Delay Time | 18ns | |
| Turn-On Energy | 1.04mJ |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
DGC40F65H7 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC40F65H7_Datasheet_V1.1 | 3.86 MB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
