产品概述
DGC40F65T7 是一款 650V、40A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.5V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于变频器、伺服驱动、电机驱动等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 40A 集电极电流能力，满足主流功率变换需求
- 典型 VCE(sat) 仅为 1.5V，有效降低导通损耗，提升系统整体效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换工况
- 内置 FRD（快恢复二极管），简化外围电路设计
- 采用 TO247-3L 标准封装，散热性能优异，便于可靠装配
应用领域
- 变频器
- 伺服驱动
- 电机驱动
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行合理选型；采购前请核对最新规格书参数以确保型号匹配；系统设计中请务必配置过压、过流及防静电保护措施，以保障器件长期稳定运行。
DGC40F65T7 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4.5V ~ 6.1V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 25μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V; 1.9V | |
| Diode Forward Voltage | 1.6V; 2.0V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 15.5A | |
| Diode Reverse Recover Charge | 0.65μC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 80ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 1.03°C/W | |
| Fall Time | 17ns | |
| Gate Charge | 177nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| Input Capacitance | 2174pF | |
| Output Capacitance | 57pF | |
| Reverse Transfer Capacitance | 28pF | |
| Rise Time | 13ns | |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| Thermal Resistance Junction to Case | 0.74°C/W | |
| Total Switching Energy | 1.77mJ | |
| Turn-Off Delay Time | 240ns | |
| Turn-Off Energy | 0.69mJ | |
| Turn-On Delay Time | 17ns | |
| Turn-On Energy | 1.08mJ |
产品替代
找到 个替代产品
资料下载
DGC40F65T7 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC40F65T7_Datasheet_V1.0 | 3.97 MB | 下载 |
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
