产品概述
DGCQ160F65L2 是一款 650V、160A IGBT，采用 TO247P-4L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.8V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于光伏、储能等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 160A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 为 1.8V，兼顾导通损耗与系统效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换
- 内置 FRD，简化系统设计
- TO247P-4L 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行选型；采购前请核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施。
DGCQ160F65L2 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4 ~ 7V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247P-4L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 40μA; 5000μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 ~ 2.4V | |
| Diode Forward Voltage | 1.6 ~ 1.9V | |
| Diode Peak Rate of Fall of Reverse Recovery Current | -461A/μs | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 16A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 594nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 70ns | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case-Sink | 0.4°C/W | |
| Fall Time | 34 ~ 40ns | |
| Gate Charge | 379nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Case-Sink | 0.18°C/W | |
| Input Capacitance | 12080pF | |
| Output Capacitance | 499pF | |
| Rated Current | 160A | |
| Rated Voltage | 650V | |
| Reverse Transfer Capacitance | 138pF | |
| Rise Time | 87 ~ 91ns | |
| Total Switching Energy | 7.2 ~ 8.4mJ | |
| Transconductance | 129S | |
| Turn-Off Delay Time | 228 ~ 273ns | |
| Turn-Off Energy | 1.9 ~ 2.7mJ | |
| Turn-On Delay Time | 104 ~ 113ns | |
| Turn-On Energy | 5.3 ~ 5.7mJ |
产品替代
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资料下载
DGCQ160F65L2 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGCQ160F65L2_Datasheet_V1.0 | 4.69 MB | 下载 |
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