产品概述
DGC120F65M2 是一款 650V、120A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 1.6V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于 光伏、储能 等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 120A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 为 1.6V，兼顾导通损耗与系统效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换
- 内置 FRD，简化系统设计
- TO247-3L 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行选型；采购前请核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施。
DGC120F65M2 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4 ~ 6.5V | |
| 集电极电流 | 120A | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | 40μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.6 ~ 2.2V | |
| Diode Forward Voltage | 1.5 ~ 2.4V | |
| Diode Peak Rate of Fall of Reverse Recovery Current | -91A/μs | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 10.7A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 760nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 117ns | |
| Fall Time | 147 ~ 172ns | |
| Gate Charge | 295nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ±250nA | |
| Input Capacitance | 10105pF | |
| Output Capacitance | 380pF | |
| Reverse Transfer Capacitance | 110pF | |
| Rise Time | 168 ~ 180ns | |
| Thermal Resistance Junction to Ambient | 40°C/W | |
| Thermal Resistance Junction to Case | 0.4 ~ 0.45°C/W | |
| Total Switching Energy | 9.91 ~ 10.5mJ | |
| Turn-Off Delay Time | 160 ~ 180ns | |
| Turn-Off Energy | 4.07 ~ 4.66mJ | |
| Turn-On Delay Time | 44 ~ 46ns | |
| Turn-On Energy | 5.84mJ |
产品替代
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资料下载
DGC120F65M2 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC120F65M2_Datasheet_V1.0 | 4.56 MB | 下载 |
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