产品概述
DGF30F65M2 是一款 650V、30A IGBT，采用 TO-220F 封装，典型集电极-发射极饱和压降 2V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于 光伏、储能、电机驱动 等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 30A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 为 2V，兼顾导通损耗与系统效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换
- 内置 FRD，简化系统设计
- TO-220F 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
- 电机驱动
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行选型；采购前请核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施。
DGF30F65M2 IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 4 ~ 7V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO-220F | |
| 更多规格 | ||
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-Emitter Leakage Current | ≤25μA | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.0V | |
| Diode Forward Voltage | 1.5V | |
| Diode Peak Reverse Recovery Current | 3.0A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 334nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 209ns | |
| Fall Time | 81ns | |
| Gate Charge | 45nC | |
| Gate-Emitter Leakage Current | ≤±250nA | |
| Input Capacitance | 1340pF | |
| Integrated Diode | FRD | |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5°C/W | |
| Junction to Case Thermal Resistance | 3.5°C/W | |
| Output Capacitance | 89pF | |
| Rated Current | 30A | |
| Rated Voltage | 650V | |
| Reverse Transfer Capacitance | 15pF | |
| Rise Time | 30ns | |
| Total Switching Energy | 0.70mJ | |
| Turn-off Delay Time | 30ns | |
| Turn-off Energy | 0.31mJ | |
| Turn-on Delay Time | 13ns | |
| Turn-on Energy | 0.39mJ |
产品替代
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资料下载
DGF30F65M2 IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGF30F65M2_Datasheet_V1.0 | 3.86 MB | 下载 |
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