产品概述
DGC60F65M 是一款 650V、60A IGBT，采用 TO247-3L 封装，典型集电极-发射极饱和压降 2V，专为高效、高可靠性功率变换系统设计，适用于 光伏、储能、电机驱动 等应用。
核心特点/优势
- 650V 高耐压与 60A 集电极电流能力
- 典型 VCE(sat) 为 2V，兼顾导通损耗与系统效率
- 高可靠性功率开关性能，适用于高频功率变换
- 内置 FRD，简化系统设计
- TO247-3L 封装，便于散热和可靠装配
应用领域
- 光伏
- 储能
- 电机驱动
选型指南/使用建议
建议结合母线电压、开关频率及散热条件进行选型；采购前请核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施。
DGC60F65M IGBT选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 电 气 | ||
| 栅极阈值电压 | 5 ~ 7V | |
| 物 理 | ||
| 用途：传感器封装 | TO247-3L | |
| 更多规格 | ||
| Collector-emitter saturation voltage | 1.9V | |
| Collector-to-Emitter Breakdown Voltage | 650V | |
| Collector-to-Emitter Leakage Current | ≤1μA | |
| Diode Thermal Resistance Junction to Case | 0.48°C/W | |
| Diode forward voltage | 1.65V | |
| Diode peak reverse recovery current | 2.2A | |
| Diode reverse recovery charge | 126nC | |
| Diode reverse recovery time | 105ns | |
| Fall time | 74ns | |
| Gate charge | 106nC | |
| Gate-to-Emitter Leakage Current | ≤±100nA | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Ambient | 32.5°C/W | |
| IGBT Thermal Resistance Junction to Case | 0.35°C/W | |
| Input Capacitance | 3250pF | |
| Output Capacitance | 135pF | |
| Rated Current | 60A | |
| Rated Voltage | 650V | |
| Reverse Transfer Capacitance | 35pF | |
| Rise time | 104ns | |
| Total switching energy | 2.67mJ | |
| Transconductance | 67S | |
| Turn-off delay time | 95ns | |
| Turn-off energy | 1.10mJ | |
| Turn-on delay time | 38ns | |
| Turn-on energy | 1.57mJ |
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资料下载
DGC60F65M IGBT资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DGC60F65M_Datasheet_V1.0 | 936.89 KB | 下载 |
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