产品概述
DCCF080M120G3 是一款 1200V、32A 高压 N 沟道 SiC MOSFET，采用 TO-247-4 封装，典型导通电阻 80mΩ，专为高频、高效率和高可靠性功率变换系统而设计。凭借碳化硅（SiC）材料的优异特性，该器件在高压大电流工况下具备低导通损耗与良好的热管理能力。
核心特点/优势
- 1200V 高漏源耐压与 32A 连续漏极电流，满足高压功率应用需求
- 典型导通电阻低至 80mΩ，可降低导通损耗并提升系统效率
- 最高工作结温达 175℃，具备出色的耐高温与高频工作能力
- TO-247-4 封装，便于高效散热和可靠装配
应用领域
- 电机驱动
- 光伏与 UPS 逆变器
- 高压 DC/DC 变换器和开关电源
选型指南/使用建议
建议在设计中充分评估散热条件与开关工况；采购前请获取并核对最新规格书参数；系统设计中请配置过压、过流及防静电保护措施，确保器件长期稳定运行。
DCCF080M120G3 MOSFET选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| Continuous Drain Current | 32A | |
| Diode Forward Voltage | 3.5V | |
| Diode Max Current | 32A | |
| Diode Reverse Recovery Charge | 214nC | |
| Diode Reverse Recovery Time | 20.8ns | |
| Drain-Source Breakdown Voltage | 1200V | |
| Drain-Source On-State Resistance | 80mΩ | |
| Fall Time | 5.8ns | |
| Gate Threshold Voltage | 2.7 ~ 3.7V | |
| Gate Total Charge | 48nC | |
| Gate-Drain Charge | 8nC | |
| Gate-Source Charge | 23nC | |
| Gate-Source Leakage Current | 250nA | |
| Gate-Source Voltage | -8 ~ 22V | |
| Input Capacitance | 918pF | |
| Internal Gate Resistance | 2.4Ω | |
| Operating Junction Temperature | -55 ~ 175℃ | |
| Output Capacitance | 43pF | |
| Package | TO-247-4L | |
| Peak Reverse Recovery Current | 17A | |
| Power Dissipation | 188W | |
| Pulsed Drain Current | 74A | |
| Reverse Transfer Capacitance | 3.1pF | |
| Rise Time | 11.2ns | |
| Storage Temperature | -55 ~ 175℃ | |
| Thermal Resistance Junction-Ambient | 30℃/W | |
| Thermal Resistance Junction-Case | 0.80℃/W | |
| Transconductance | 12.9S | |
| Turn-Off Delay Time | 14.4ns | |
| Turn-Off Switching Energy | 23.5μJ | |
| Turn-On Delay Time | 6.7ns | |
| Turn-On Switching Energy | 490μJ | |
| Zero Gate Voltage Drain Current | 100μA |
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资料下载
DCCF080M120G3 MOSFET资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| Donghai_DCCF080M120G3_Datasheet_V1.1 | 1.98 MB | 下载 |
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