Precise Instrument 普赛斯仪表 武汉普赛斯PMST-3500V型 半导体封测

产品概述

普赛斯仪表PMST-3500V型功率半导体测试系统，专为应对第三代半导体器件（如SiC、GaN、IGBT等）在高电压、大电流、高速开关条件下的测试需求而设计。该系统基于高精度源表技术，具备高电压（3500V）、大电流（6000A）测试能力，支持静态与动态参数测试，适用于从实验室研发到产线测试的全生命周期应用。

核心特点/优势

• 支持高达3500V电压和6000A电流的测试能力，满足高功率器件测试需求。
• 具备高精度漏电流测试能力（1nA～100mA），适用于SiC阈值电压漂移等关键参数测试。
• 模块化设计，支持灵活配置SMU单元，便于系统扩展与升级。
• 支持高低温测试（-55℃~250℃），满足器件在极端环境下的性能评估。
• 兼容多种测试模式，包括直流IV、脉冲IV、CV、跨导测试等。
• 支持国标全指标一键测试，提升测试效率与一致性。

应用领域

• 功率半导体器件（如SiC MOS、IGBT、GaN HEMT）的静态与动态参数测试。
• 新能源汽车800V高压快充系统中功率器件的性能评估。
• 功率模块（如PIM、IPM）的单管测试与模块集成测试。
• 实验室研发、中试验证及产线测试。

选型指南/使用建议

建议根据测试对象的电压、电流等级及测试需求选择相应配置。系统支持模块化扩展，可根据测试流程节点增加高低温测试模块或自动化测试模块。测试过程中需注意控制测试应力时间，避免器件过热损坏。适用于实验室、中试平台及产线环境。