产品概述
PMST-2200V是武汉普赛斯推出的高精度功率半导体器件静态参数测试系统，专为IGBT、MOSFET、SiC、GaN等宽禁带半导体器件设计。系统具备高电压、大电流、高精度测量能力，支持IV、CV、跨导等多种测试功能，适用于晶圆、芯片、器件、模块等全生命周期测试。
系统采用模块化设计，支持多种测试单元灵活配置，具备快速响应、无过冲输出、四线制测量等优势，可满足从实验室到产线的全场景测试需求。
核心特点/优势
- 支持高达3500V电压输出（可扩展至10kV），最大电流可达6000A（多模块并联）
- 具备nA级漏电流、μΩ级导通电阻测量能力，精度达0.1%
- 采用脉冲式大电流源，响应快、无过冲，有效降低测试误差
- 支持恒压限流、恒流限压模式，保障测试安全性
- 内置开关矩阵，支持一键测试国标全指标
- 支持常温、高温、低温测试，兼容探针台、温箱等第三方设备
- 软件功能丰富，支持曲线绘制、数据导出、SCPI指令集开放
应用领域
- IGBT静态参数测试
- MOSFET、BJT、二极管等功率器件测试
- SiC、GaN等宽禁带半导体器件测试
- 晶圆、芯片、器件、模块、IPM等全生命周期测试
- 实验室研发、小批量测试、大批量产线测试
选型指南/使用建议
根据测试对象选择PMST系列不同配置，包括PMST-2200V（标准测试系统）、PMST-MP（半自动化测试系统）、PMST-AP（全自动化测试系统）。建议在常温、无强电磁干扰环境下使用，支持与探针台、温箱等设备联动，确保测试精度与效率。
普赛斯PMST-2200V 仪表选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 大电流上升时间 | <15μs | |
| 大电流脉宽范围 | 50μs~500μs | |
| 导通电阻测试精度 | μΩ级 | |
| 最大电压 | 3500V（可升级扩展至10kV） | |
| 最大电流 | 1000A（可并联扩展至6000A） | |
| 最小测试漏电流 | 10pA | |
| 最小电压量程 | 300mV | |
| 最小脉冲宽度 | 200μs | |
| 漏电流测试范围 | 1nA~100mA | |
| 电压测试精度 | ±0.1% | |
| 电容测试精度 | ±0.5% | |
| 电容测试范围 | 0.01pF-9.9999F | |
| 电容测试频率范围 | 10Hz~1MHz | |
| 电流测试精度 | ±0.1% |
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