产品概述
普赛斯SPA-6100仪表是专为MOSFET器件测试设计的高精度数字源表和脉冲源表系统，适用于实验室科研和测试工程师对MOSFET的电性能进行全面分析。MOSFET是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，广泛应用于模拟电路和数字电路中。其测试涉及多端口协同、高精度漏电流测量、脉冲模式测试以及多频率C-V测试等复杂需求。
核心特点/优势
- 支持多端口协同测试，满足MOSFET多参数测试需求
- 具备自动量程切换功能，适应动态电流范围广的测试场景
- 高精度漏电流测量，最小可测100pA，满足栅氧漏电测试要求
- 支持脉冲测试模式，有效减少自加热效应，提升测试准确性
- 支持多频率C-V测试，用于评估MOSFET高频特性
- 提供多种型号配置，覆盖100pA~100A电流范围，满足不同功率MOSFET测试需求
应用领域
- 用于MOSFET输入/输出特性测试
- 用于阈值电压VGS(th)、漏电流IGSS、IDSS等关键参数测试
- 用于耐压测试（VDSS）和击穿电压测试
- 用于C-V测试，评估MOS电容特性
- 适用于材料研究、器件开发、可靠性评估等科研场景
选型指南/使用建议
针对不同功率等级的MOSFET器件，推荐如下配置：
| 器件功率范围 | 推荐配置 | 最大电压 | 最大电流 |
| 1A以下 | 2台S系列源表 | 300V | 1A |
| 1A~10A | 2台P系列脉冲源表 | 300V | 10A |
| 10A~100A | P系列脉冲源表+HCP | 50V | 100A |
击穿电压测试中，300V以下推荐使用S系列或P系列，300V以上推荐使用E系列，最大电压可达3500V。
普赛斯SPA-6100 仪表选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 电压精度 | 0.1% | |
| 电压范围 | 300μV~300V | |
| 电流精度 | 0.1% | |
| 电流范围 | 100pA~100A |
产品替代
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温馨提示
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