Silicon Labs 芯科 SI7211-B-00-IVR 板机接口霍耳效应/磁性传感器

分享
2025-10-16 10:10:20
  • 后询价或查看价格

  • SI7211-B-00-IVR

  • 板机接口霍耳效应/磁性传感器

  • Silicon Labs 芯科

  • 请咨询供应商

  • Silicon Labs 芯科

联系销售
专家支持

产品概述

Silicon Labs Si7211-B-00-IVR 是一款基于霍尔效应的磁性位置传感器,集成了斩波稳定霍尔元件、低噪声模拟放大器和13位模数转换器。该传感器采用成熟的CMOS设计技术,具备数字信号处理功能,可实现精确的温度和失调漂移补偿。适用于更大的气隙和更小的磁体,符合汽车应用AEC-Q100标准。

核心特点/优势

  • 高灵敏度霍尔效应传感器
  • 低噪声输出,对应磁场变化
  • 集成数字信号处理,实现温度和失调漂移补偿
  • 低至50 nA的典型睡眠电流
  • 可配置的灵敏度、输出极性和采样率
  • 灵敏度漂移小于±3%(温度范围内)
  • 宽电源电压范围:1.7 V ~ 26.5 V(视型号而定)
  • 支持多种输出格式:模拟、PWM、SENT
  • 符合AEC-Q100标准,适用于汽车应用
  • 提供多种封装形式:SOT-23(3或5引脚)、TO92、DFN

应用领域

  • 流体液位检测
  • 控制旋钮和选择开关
  • 消费类、工业和汽车应用中的机械位置检测
  • 相机图像稳定、变焦和自动对焦

选型指南/使用建议

Si721x系列提供多种封装形式,包括3引脚和5引脚SOT23、TO92以及即将推出的8引脚DFN封装。建议根据具体应用需求选择合适的封装和输出格式(模拟、PWM或SENT)。在高电压型号中(最大26.5 V),电源上升速率应大于10 V/秒。此外,可配置的睡眠模式和内置自检功能(BIST)有助于优化功耗和系统可靠性。


SI7211-B-00-IVR 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
分辨率 13 bit
封装形式 SOT-23-3
工作温度范围 -40 °C ~ +125 °C
工作电压范围 2.25 V ~ 5.5 V
工作电流 5.5 mA
最大电源电压 5.5 V
最小电源电压 2.25 V
类型 霍尔效应传感器
系列 Si721x
输出类型 模拟输出

产品替代

找到 个替代产品

资料下载

SI7211-B-00-IVR 板机接口霍耳效应/磁性传感器资源附件
文件名称 大小 操作
si721x_data_sheet-1666333 1.52 MB
Silicon_Laboratories_190326510_SI72xx_Magnetic_Sensor_Removal_of_Automotive_Support_PCN 623.51 KB
Silicon_Laboratories_181030413_Si721x_Datasheet_Revision 620.05 KB
Silicon_Laboratories_180829382_Initial_V0 669.37 KB
Silicon_Laboratories_171003134_Pin1_Orientation_Change_to_Quadrant_3_SOT23_Package 666.70 KB
si721x-datasheet-1128726.pdf 612.91 KB
si721x-datasheet.pdf 659.90 KB
温馨提示

若上述内容存在差异,请以产品手册为准。

如需获取样品、技术支持或完整规格书,请点击联系销售。

直线位置传感器交流圈

约21圈友等你加入

    加载中···

    专家支持

    0 / 300

    选择图片

    确定提交

    提交成功

    系统自动将您的问题推送给专家解答

    查看专家解答
    请扫码进入传感圈小程序

    如何查看专家解答您的问题?

    1
    2
    3
    4