NETD:≤50mK ( @f/1.0 , 30Hz , 300K ) |
传感器技术:非制冷型氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:12mm |
光谱响应谱段:LWIR, 8-14μm |
功耗:<350mW ( @ 300K ) |
可操作率:≥99.5% |
器件尺寸:37 × 37 × 5.125 mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:陶瓷封装 |
封装重量:<18g |
工作温度范围:-40℃~+85℃ |
帧频:30Hz |
热响应时间:<10ms |
输出信号:14-bit 数字输出 |
阵列规模:1280 × 1024 |
NETD:<40mK (@f/1.0, 50Hz, 300K) |
传感器技术:氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:17μm |
分辨率:384×288 |
功耗:<80mW (at 50Hz, 25ºC) |
可操作率:≥99.5% |
响应谱段:8-14μm |
封装尺寸:22 × 22 × 3.41mm³ (不计引脚尺寸) |
封装类型:32-Pin 陶瓷封装 |
工作模式:典型模式、宽动态模式可选 |
工作温度范围:-40°C~+85°C |
帧频:50/60Hz |
数字输出位数:14bits |
热响应时间:<12ms |
读出模式:逐行读出 |
重量:<5g |
镜像功能:X方向、Y方向镜像 |
非均匀性校正功能:片上6位非均匀性校正 |
NETD:<40mK（@f/1.0, 50Hz, 300K） |
传感器技术:氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:12μm |
光谱响应谱段:8-14μm |
功耗:<110mW（@50Hz, 25ºC） |
可操作率:≥99.5% |
封装尺寸:22 × 22 × 4.58mm³（不计引脚尺寸） |
封装形式:32-Pin 陶瓷真空封装 |
封装重量:≤5g |
工作温度范围:-40°C~+85°C |
帧频:≤60Hz |
数字输出位数:14bits |
测温范围:-40~600ºC（@f/1.0） |
热响应时间:<10ms |
阵列规模:384 × 288 |
NETD:<40mK (@f/1.0, 50Hz, 300K) |
传感器技术:非制冷型氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:12μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8-14μm |
功耗:<170mW (@50Hz, 25ºC) |
可操作率:>99.5% |
封装尺寸:22 × 22 × 4.68mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:32Pin陶瓷真空封装 |
封装重量:≤5g |
工作温度范围:-40°C~+85°C |
帧频:≤60Hz |
数字输出位数:14bits |
测温范围:-40~600ºC |
热响应时间:<10ms |
阵列规模:640×512 |
NETD:<50mK (@f/1.0, 30Hz, 300K) |
传感器技术:非制冷型氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:12μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8-14μm |
功耗:<400mW (@30Hz, 300K) |
可操作率:≥99.5% |
封装尺寸:39.9×33.5×12.02mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:68-Pin 陶瓷真空封装 |
封装重量:≤30g |
工作温度范围:-40°C~+60°C |
帧频:25/30/50/60Hz |
数字输出位数:14bits |
热响应时间:<10ms |
读出模式:逐行读出 |
镜像功能:X方向、Y方向镜像 |
阵列规模:1024×768 |
非均匀性校正功能:片上6位非均匀性校正 |
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