NETD:≤50mK (@f/1.0 , 30Hz , 300K) |
像元中心距:10μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8~14μm |
功耗:<450mW (at 30Hz,300K,低功耗模式) |
可操作率:≥99.5% |
器件尺寸:41 × 31.5 × 8.31mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:金属真空封装 |
工作温度:-40℃~+85℃ |
帧频:≤60Hz |
探测器类型:非制冷型氧化钒微测热辐射计 |
数字输出位数:14bits |
热响应时间:<10ms |
重量:≤50g |
阵列规模:1280 × 1024 |
NETD:<50mK (@f/1.0 , 50Hz , 300K) |
像元中心距:12μm |
光谱响应谱段:8~14μm |
功耗:<400mW (@30Hz,25℃) |
可操作率:≥99.5% |
器件尺寸:41 × 31.5 × 8.31mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:金属真空封装 |
工作温度:-40℃~+60℃ |
帧频:25/30Hz |
探测器类型:非制冷型氧化钒微测热辐射计 |
数字输出位数:14bits |
热响应时间:<10ms |
重量:≤50g |
阵列规模:1280 × 1024 |
NETD:<40mK (@f/1.0, 50Hz, 300K) |
传感器技术:非制冷型氧化钒微测辐射热计 |
像素中心距:12μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8-14μm |
功耗:<170mW (@50Hz, 25ºC, 不计 TEC) |
可操作率:>99.5% |
封装尺寸:32 × 23.5 × 7.67mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:40-Pin 金属真空封装 |
封装重量:≤25g |
工作温度范围:-40°C~+85°C |
帧频:≤60Hz |
数字输出位数:14bits |
测温范围:-40~600ºC (@f/1.0) |
热响应时间:<10ms |
阵列规模:640 × 512 |
NETD:<50mK (@f/1.0,30Hz,300K) |
像素中心距:12μm |
功耗:<400mW (@30Hz,300K,低功耗模式) |
可操作率:>99.5% |
响应谱段:8-14μm |
封装尺寸:41×31.5×8.31mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:66-Pin金属真空封装 |
封装重量:≤50g |
工作模式:低功耗模式/高性能模式 |
工作温度范围:-40°C~+85°C |
帧频:25/30/50/60Hz |
探测器类型:氧化钒微测辐射热计 |
数字输出位数:14bits |
热响应时间:<10ms |
读出模式:逐行读出 |
镜像功能:X方向、Y方向镜像 |
阵列规模:1024×768 |
非均匀性校正功能:片上6位非均匀性校正 |
NETD:≤50mK(@f/1.0 , 50Hz , 300K) |
像元中心距:17μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8~14μm |
功耗:<150mW(@ 300K,excluding TEC) |
可操作率:≥99.5% |
器件尺寸:23.5 × 32 × 7.7mm³(不计引脚尺寸) |
封装形式:金属真空封装 |
工作温度:-40℃~+85℃ |
帧频:50/60Hz |
探测器类型:非制冷型氧化钒微测热辐射计 |
热响应时间:10ms |
输出信号:模拟输出 |
重量:<25g |
阵列规模:384 × 288 |
NETD:≤60mK (@f/1.0, 50Hz, 300K) |
传感器技术:非制冷型氧化钒微测辐射热计 |
像元中心距:17μm |
光谱响应谱段:LWIR, 8-14μm |
功耗:<250mW (25°C, 不包括 TEC) |
可操作率:≥99.5% |
封装尺寸:23.5 × 32 × 7.7mm³ (不计引脚尺寸) |
封装形式:金属真空封装 |
封装重量:<25g |
工作帧频:50Hz |
工作温度范围:-40°C~+60°C |
模拟输出动态范围:1.0~3.4V |
热响应时间:10ms |
输出信号:模拟输出 |
阵列规模:640 × 512 |
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