分辨率:≤0.1 nm, ≤1 nm, ≤0.1 nm, ≤1 nm |
最大升温速率:>1000℃, -, >1000℃, >100℃ |
样品池厚度:-, 100 ~ 200 nm, 100 nm ~ 2 μm, 100 ~ 500 nm |
温度精度:≥98%, -, ≥98%, ≥98% |
温度范围:RT ~ 1300℃, RT, RT ~ 800℃, RT ~ 500℃ |
窗口膜厚:10 ~ 50 nm, 30 ~ 50 nm, 20 ~ 50 nm, 50 nm |
耐压能力:超薄氮化硅薄膜耐受气体压力大于1 atm |
耐高温能力:最高可在1300℃下持续工作超过6小时,耐受快速升降温冲击 |
参比电极材料:银/氯化银 |
基底厚度:350 µm |
基底材料:PET、纸 |
工作电极(WE)和对电极(CE)材料:碳 |
工作电极(WE)直径:1 mm |
测试样品体积:5-20 µL |
芯片尺寸:40 × 7 mm |
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