产品概述
环境原位TEM芯片HEM-NR系列是专为透射电镜（TEM）设计的高精度原位观察芯片，通过与原位样品杆配合使用，可在力、热、光、电或气体等环境因素作用下，实现对纳米材料样品结构或形貌变化过程的实时、原位观察。该芯片是实现原位实验的关键部件，适用于多种原位实验模式。
核心特点/优势
- 高分辨率：采用超薄氮化硅薄膜作为观察窗口，提供原子级分辨率（≤0.1 nm）
- 耐高温：最高可在1300℃下持续工作超过6小时，耐受快速升降温冲击
- 耐压：超薄氮化硅薄膜可耐受气体压力大于1 atm
- 兼容性强：适配市面上主流的原位样品杆，支持定制化服务
- 多种型号可选：支持原位加热、电化学、气体加热和液体观察等多种实验模式
应用领域
- 应用实例
环境原位TEM芯片 其它芯片选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 分辨率 | ≤0.1 nm, ≤1 nm, ≤0.1 nm, ≤1 nm | |
| 最大升温速率 | >1000℃, -, >1000℃, >100℃ | |
| 样品池厚度 | -, 100 ~ 200 nm, 100 nm ~ 2 μm, 100 ~ 500 nm | |
| 温度精度 | ≥98%, -, ≥98%, ≥98% | |
| 温度范围 | RT ~ 1300℃, RT, RT ~ 800℃, RT ~ 500℃ | |
| 窗口膜厚 | 10 ~ 50 nm, 30 ~ 50 nm, 20 ~ 50 nm, 50 nm | |
| 耐压能力 | 超薄氮化硅薄膜耐受气体压力大于1 atm | |
| 耐高温能力 | 最高可在1300℃下持续工作超过6小时，耐受快速升降温冲击 |
产品替代
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