存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装:SMD 3225(3.0×2.0mm) |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
年老化率:±2 ppm/年 |
并联电容(C0):≤5 pF |
温度稳定性:±20 ppm |
等效串联电阻(ESR):≤110 Ω |
绝缘电阻:≥500 MΩ @DC100V |
负载电容:10 pF |
频率:12.000000 MHz |
频率偏差(容差):±10 ppm @25±3℃ |
驱动电平:100 μW |
中心频率:12.000000 MHz |
切割方式:AT cut |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装尺寸:SX-3225 |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
年老化率:±3 ppm |
振动模式:Fundamental |
标称频率:12.000000 MHz |
测量仪器:S&A 250B |
温度稳定性:±30 ppm |
负载电容:12 pF |
频率容差:±30 ppm |
驱动电平:100 μW |
型号:XTL721-S999-286 |
存储温度范围:-55℃ ~ 125℃ |
封装尺寸:3215(3.2×1.5mm) |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
年老化率:±3 ppm |
并联电容(Co):0.6 pF ~ 1.2 pF |
等效串联电阻(ESR):≤70 KΩ |
类型:音叉式晶体 |
绝缘电阻:≥500 MΩ @ DC 100V |
负载电容:12.5 pF |
频率:32.768 KHz |
频率偏差(容差):±20 ppm |
频率温度系数:-0.025 ppm/℃² ~ -0.045 ppm/℃² |
驱动电平:0.1 μW ~ 1 μW |
包装方式:TP-125 |
品牌:SIWARD(希华) |
品质因数(Q):≥ 13000 |
型号:XTL721-S349-005 |
存储温度范围:-55℃ ~ 125℃ |
封装尺寸:3215(3.2 x 1.5 mm) |
封装形式:SX-3215 |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
并联电容(Co):0.6 ~ 1.2 pF |
标记方式:激光打标 |
测量仪器:S&A 250B |
等效串联电阻(ESR):≤ 65 KΩ |
类型:贴片晶振 |
翻转温度:20 ~ 30 ℃ |
老化率:±3 ppm/年 |
负载电容:7 pF |
频率:32.768 kHz |
频率偏差(容差):±20 ppm |
频率温度系数:-0.04 ~ -0.036 ppm/℃² |
驱动电平:0.1 ~ 0.5 μW |
全温循环滞回:-0.5 ~ +0.5 ppm |
存储温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
封装尺寸:2520 (2.5×2.0mm) |
小温循环滞回:-0.05 ~ +0.05 ppm |
工作温度范围:-30℃ ~ 85℃ |
并联电容 (C0):≤5 pF |
总频差:10 PPM |
温度特性:热敏型 (Thermistor) |
热敏电阻规格 (B常数):4250 K (25-50℃) |
热敏电阻规格 (Resistance):100 kΩ @25℃ |
等效串联电阻 (ESR):≤30 Ω |
绝缘电阻:≥500 MΩ @DC 100V |
老化率:+/-1 ppm @1年, +/-1.5 ppm @2年, +/-2.5 ppm @5年, +/-5 ppm @10年 |
负载电容:7 pF |
非线性度:-0.5 ~ +0.5 ppm |
频率:26.000000 MHz |
频率偏移 (Trim Sensitivity):25.2 ~ 30.8 ppm/pF |
驱动功率:≤100 μW |
RoHS合规性:RoHS 合规 |
中心频率:26.000000 MHz |
切割方式:AT cut |
封装方式:TP-159 |
尺寸/图纸编号:SXT-2520 ; SXD-00311 |
工作温度范围:-30℃ ~ 85℃ |
并联电容(C0):≤5 pF |
振荡模式:Fundamental |
标称频率:26.000000 MHz |
标记方式:激光打标 |
测量仪器:S&A 250B |
湿度敏感等级:MSL 1(JEDEC J-STD-020) |
等效串联电阻(ESR):≤30 Ω |
绝缘电阻:≥500 MΩ |
老化率:±1 ppm(1年) |
负载电容:7 pF |
频率稳定性(温度):±10 ppm |
驱动电平:100 μW |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装尺寸:SX-3225 |
工作温度范围:-20℃ ~ 70℃ |
振动频率范围:10~55Hz |
振幅:1.5mm±15% |
标称频率:24.000000 MHz |
氦气压力:5.0~5.5 Kgf/cm² |
测试压力:0.2 Mpa |
测试时间:2 小时 |
温度稳定性:±10 ppm |
焊接时间:2±0.6 秒 |
焊接温度:260±5℃ |
老化率:±3 ppm/年 |
负载电容:12 pF |
跌落高度:75cm |
频率容差:±10 ppm |
驱动功率:100 μW |
中心频率:25.000000MHz |
切割方式:AT cut |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
尺寸及图纸编号:SX-3225; SXD-00306 |
工作温度范围:-20℃ ~ 75℃ |
年老化率:±2ppm |
振动模式:Fundamental |
标称频率:25.000000MHz |
测量仪器:S&A 250B (Measured FL) |
温度稳定性:±10ppm |
负载电容:20pF |
频率容差:±10ppm |
驱动电平:100μW |
中心频率:40.000000MHz |
切割方式:AT切 |
外形尺寸:SX-3225 |
存储温度范围:-40℃~90℃ |
封装方式:TP-094 |
工作温度范围:-20℃~85℃ |
年老化率:±2ppm |
并联电容:≤7pF |
振荡模式:基频 |
杂散抑制:≥3dB |
标称频率:40.000000MHz |
标记方式:激光打标 |
测试仪器:S&A 250B |
温度稳定性:±10ppm |
等效串联电阻:≤20Ω |
绝缘电阻:≥500MΩ |
负载电容:15pF |
频率容差:±10ppm |
驱动电平:100μW |
切割方式:AT切 |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装规格:SX-3225 |
工作温度范围:-20℃ ~ 75℃ |
年老化率:±2 ppm |
振动模式:基频 |
标称频率:26.000000 MHz |
测量仪器:S&A 250B |
温度频率稳定性:±10 ppm |
负载灵敏度:22.5 ~ 26 ppm/pF |
负载电容:9 pF |
频率稳定性(容差):±10 ppm |
驱动电平:≤100 μW |
中心频率:32.000000MHz |
切割方式:AT cut |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
尺寸与图纸编号:SX-3225; SXD-00306 |
工作温度范围:-20℃ ~ 70℃ |
年老化率:±2ppm |
振动模式:Fundamental |
标称频率:32.000000MHz |
测量仪器:S&A 250B (Measured FL) |
温度稳定性:±10ppm |
负载电容:9pF |
频率容差:±10ppm |
驱动电平:100μW |
切割方式:AT切 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装尺寸:SX-3225 |
工作模式:基频 |
工作温度范围:-10℃ ~ 70℃ |
年老化率:±2ppm |
标称频率:27.000000MHz |
测量仪器:S&A 250B |
温度稳定性:±15ppm |
负载电容:20pF |
频率容差:±15ppm |
驱动电平:100μW |
中心频率:12.000000 MHz |
切割方式:AT cut |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装尺寸:SX-3225 |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
年老化率:±2 ppm |
并联电容(C0):≤5 pF |
振荡模式:Fundamental |
标称频率:12.000000 MHz |
测试仪器:S&A 250B |
温度稳定性:±20 ppm |
等效串联电阻(ESR):≤100 Ω |
绝缘电阻:≥500 MΩ |
负载电容:20 pF |
频率容差:±15 ppm |
驱动电平:100 μW |
中心频率:27.000000 MHz |
切割方式:ATcut |
包装方式:TP-094 |
存储温度范围:-40 ℃ ~ 90 ℃ |
封装尺寸:SX-3225 |
工作温度范围:-20 ℃ ~ 70 ℃ |
年老化率:-2 ppm ~ 2 ppm |
振动模式:Fundamental |
标称频率:27.000000 MHz |
测试仪器:S&A 250B |
温度稳定性:-10 ppm ~ 10 ppm |
负载电容:12 pF |
频率容差:-10 ppm ~ 10 ppm |
驱动电平:100 μW |
存储温度范围:-40℃ ~ 90℃ |
封装尺寸:3.2mm × 2.5mm (3225) |
工作温度范围:-40℃ ~ 85℃ |
年老化率:±2ppm |
温度稳定性:±20ppm |
类型:无源晶体谐振器 |
负载电容:16pF |
频率:26MHz |
频率容差:±10ppm |
驱动电平:≤100μW |
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