合肥铭华商电子
合肥铭华商电子有限公司,下设电子部和化工部。公司90%以上员工具备大专或以上相关学历,公司的管理团队和管理模式秉承国际公司的规范化运作,以市场为导向,本着实实在在做企业的原则,以“诚实、守信、服务”为宗旨力求创造全新的服务和销售理念。 铭华商电子部是专业的电子元器件供应商,多年来一直致力于通讯、电脑、消费类电子、汽车电子、仪器仪表、工控、医疗器械等行业,提供高品质,高质量的元器件产品,作为行业中的佼佼者,公司的电子元器件供应,一直处于行业领先地位,公司拥有稳定的货源及库存。稳定的品质,合理的价格,优质服务,为销售方针,始终用心经营,为此赢得越来越多客户的认可和支持,作为一家优秀的代理企业,公司为客户提供最优质的产品及高质量,高效率的服务,我们虚心学习客户的原厂先进的企业管理模式,不断完善公司经营机制,同时公司重视人文环境建设,目前拥有一批具有创新意识,高素质,积极进取的优秀员工,企业团队充满激情和活力。铭华商电子下设化工部专业提供色母粒,功能母料,低烟无卤料等化工材料产品,包括PE、PVC、EVA、XLPE、TPU、PBT、PA、FEP、ETFE等电线电缆专用色母粒,浓度高、添加比低,着色力强,颜色稳定,耐温性能可靠。同时提供防鼠咬、防白蚁、抗UV等功能母料,应用广泛,绿色环保。具有权威机构的符合行业标准的第三方测试报告。    代理品牌上海芯导产品上海芯导电子科技有限公司坐落于张江高科技园区,是一家专门致力于集成电路芯片研发、设计、销售的高新技术企业。产品涵盖了半导体功率器件(TVS、MOSFET、TSS、Transistor、Diode等)和专用集成电路芯片(充电IC、LED背光/闪光灯驱动、移动电源主控、段式LCD驱动等).希华晶振希华晶体科技成立于1988年,专精于石英频率控制元件之研发、设计、生产与销售。从人工晶棒长成到最终产品,透过最佳团队组合及先进之生产技术,建立完整的产品线,包含人工水晶、石英晶片、SAW WAFER,以及石英晶体、晶体振荡器、晶体滤波器、温度补偿型及电压控制型产品等,以健全的供应炼系统,为客户提供全方位的服务。茂达产品ANPEC 茂达电子(Anpec Electronics Corp.)成立于民国86年10月,以提升国内电源模拟(Power Analog)设计环境并建立自主模拟及电源相关产业为使命。主要从事模拟〈Analog〉集成电路设计、测试、生产及营销业务,产品线主要包括:电源转换及电源管理IC(Power Conversion and Power​Management IC)、放大器及驱动IC(Amplifier and Driver)及离散式功率组件(Discrete Power Devices - MOSFET、IGBT)华新科产品全球量产占比前五大被动组件领导品牌。 生产包括积层陶瓷芯片电容(MLCC)、芯片电阻(Chip-R)、射频组件(RF Components)、圆板电容(DISC)、氧化锌变阻器(Varistor)、电感(Inductor)及芯片保险丝(Chip Fuse)等各式被动元器件。 深刻了解技术能力的重要性,自2001年起持续以年营收3%投资于技术研发与创新,致力于微型化、成本效益优化、绿色环保及材料自主研发等各式特殊产品开发,并密切关注电子产品应用趋势,以确保产品规范应用领域通讯、电脑、消费类电子、汽车电子、仪器仪表、工控、医疗器械等行业
  • SIWARD希华 XTL571200-K114-002 SIWARD希华晶振

    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装:SMD 3225(3.0×2.0mm)
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    年老化率:±2 ppm/年
    并联电容(C0):≤5 pF
    温度稳定性:±20 ppm
    等效串联电阻(ESR):≤110 Ω
    绝缘电阻:≥500 MΩ @DC100V
    负载电容:10 pF
    频率:12.000000 MHz
    频率偏差(容差):±10 ppm @25±3℃
    驱动电平:100 μW
  • SIWARD希华 XTL571300-U11-279 SIWARD希华晶振

    中心频率:12.000000 MHz
    切割方式:AT cut
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装尺寸:SX-3225
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    年老化率:±3 ppm
    振动模式:Fundamental
    标称频率:12.000000 MHz
    测量仪器:S&A 250B
    温度稳定性:±30 ppm
    负载电容:12 pF
    频率容差:±30 ppm
    驱动电平:100 μW
  • SIWARD希华 XTL721-S999-286 SIWARD希华晶振

    型号:XTL721-S999-286
    存储温度范围:-55℃ ~ 125℃
    封装尺寸:3215(3.2×1.5mm)
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    年老化率:±3 ppm
    并联电容(Co):0.6 pF ~ 1.2 pF
    等效串联电阻(ESR):≤70 KΩ
    类型:音叉式晶体
    绝缘电阻:≥500 MΩ @ DC 100V
    负载电容:12.5 pF
    频率:32.768 KHz
    频率偏差(容差):±20 ppm
    频率温度系数:-0.025 ppm/℃² ~ -0.045 ppm/℃²
    驱动电平:0.1 μW ~ 1 μW
  • SIWARD希华 XTL721-S349-005 SIWARD希华晶振

    包装方式:TP-125
    品牌:SIWARD(希华)
    品质因数(Q):≥ 13000
    型号:XTL721-S349-005
    存储温度范围:-55℃ ~ 125℃
    封装尺寸:3215(3.2 x 1.5 mm)
    封装形式:SX-3215
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    并联电容(Co):0.6 ~ 1.2 pF
    标记方式:激光打标
    测量仪器:S&A 250B
    等效串联电阻(ESR):≤ 65 KΩ
    类型:贴片晶振
    翻转温度:20 ~ 30 ℃
    老化率:±3 ppm/年
    负载电容:7 pF
    频率:32.768 kHz
    频率偏差(容差):±20 ppm
    频率温度系数:-0.04 ~ -0.036 ppm/℃²
    驱动电平:0.1 ~ 0.5 μW
  • SIWARD希华 XTL5A1100-M118-056 SIWARD希华晶振

    全温循环滞回:-0.5 ~ +0.5 ppm
    存储温度范围:-40℃ ~ 85℃
    封装尺寸:2520 (2.5×2.0mm)
    小温循环滞回:-0.05 ~ +0.05 ppm
    工作温度范围:-30℃ ~ 85℃
    并联电容 (C0):≤5 pF
    总频差:10 PPM
    温度特性:热敏型 (Thermistor)
    热敏电阻规格 (B常数):4250 K (25-50℃)
    热敏电阻规格 (Resistance):100 kΩ @25℃
    等效串联电阻 (ESR):≤30 Ω
    绝缘电阻:≥500 MΩ @DC 100V
    老化率:+/-1 ppm @1年, +/-1.5 ppm @2年, +/-2.5 ppm @5年, +/-5 ppm @10年
    负载电容:7 pF
    非线性度:-0.5 ~ +0.5 ppm
    频率:26.000000 MHz
    频率偏移 (Trim Sensitivity):25.2 ~ 30.8 ppm/pF
    驱动功率:≤100 μW
  • SIWARD希华 XTL5A1100-S362-009 SIWARD希华晶振

    RoHS合规性:RoHS 合规
    中心频率:26.000000 MHz
    切割方式:AT cut
    封装方式:TP-159
    尺寸/图纸编号:SXT-2520 ; SXD-00311
    工作温度范围:-30℃ ~ 85℃
    并联电容(C0):≤5 pF
    振荡模式:Fundamental
    标称频率:26.000000 MHz
    标记方式:激光打标
    测量仪器:S&A 250B
    湿度敏感等级:MSL 1(JEDEC J-STD-020)
    等效串联电阻(ESR):≤30 Ω
    绝缘电阻:≥500 MΩ
    老化率:±1 ppm(1年)
    负载电容:7 pF
    频率稳定性(温度):±10 ppm
    驱动电平:100 μW
  • SIWARD希华 XTL571100-H162-003 SIWARD希华晶振

    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装尺寸:SX-3225
    工作温度范围:-20℃ ~ 70℃
    振动频率范围:10~55Hz
    振幅:1.5mm±15%
    标称频率:24.000000 MHz
    氦气压力:5.0~5.5 Kgf/cm²
    测试压力:0.2 Mpa
    测试时间:2 小时
    温度稳定性:±10 ppm
    焊接时间:2±0.6 秒
    焊接温度:260±5℃
    老化率:±3 ppm/年
    负载电容:12 pF
    跌落高度:75cm
    频率容差:±10 ppm
    驱动功率:100 μW
  • SIWARD希华 XTL571100-N98-008 SIWARD希华晶振

    中心频率:25.000000MHz
    切割方式:AT cut
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    尺寸及图纸编号:SX-3225; SXD-00306
    工作温度范围:-20℃ ~ 75℃
    年老化率:±2ppm
    振动模式:Fundamental
    标称频率:25.000000MHz
    测量仪器:S&A 250B (Measured FL)
    温度稳定性:±10ppm
    负载电容:20pF
    频率容差:±10ppm
    驱动电平:100μW
  • SIWARD希华 XTL571100-W103-033 SIWARD希华晶振

    中心频率:40.000000MHz
    切割方式:AT切
    外形尺寸:SX-3225
    存储温度范围:-40℃~90℃
    封装方式:TP-094
    工作温度范围:-20℃~85℃
    年老化率:±2ppm
    并联电容:≤7pF
    振荡模式:基频
    杂散抑制:≥3dB
    标称频率:40.000000MHz
    标记方式:激光打标
    测试仪器:S&A 250B
    温度稳定性:±10ppm
    等效串联电阻:≤20Ω
    绝缘电阻:≥500MΩ
    负载电容:15pF
    频率容差:±10ppm
    驱动电平:100μW
  • SIWARD希华 XTL571100-S362-001 SIWARD希华晶振

    切割方式:AT切
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装规格:SX-3225
    工作温度范围:-20℃ ~ 75℃
    年老化率:±2 ppm
    振动模式:基频
    标称频率:26.000000 MHz
    测量仪器:S&A 250B
    温度频率稳定性:±10 ppm
    负载灵敏度:22.5 ~ 26 ppm/pF
    负载电容:9 pF
    频率稳定性(容差):±10 ppm
    驱动电平:≤100 μW
  • SIWARD希华 XTL571100-H201-271 SIWARD希华晶振

    中心频率:32.000000MHz
    切割方式:AT cut
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    尺寸与图纸编号:SX-3225; SXD-00306
    工作温度范围:-20℃ ~ 70℃
    年老化率:±2ppm
    振动模式:Fundamental
    标称频率:32.000000MHz
    测量仪器:S&A 250B (Measured FL)
    温度稳定性:±10ppm
    负载电容:9pF
    频率容差:±10ppm
    驱动电平:100μW
  • SIWARD希华 XTL571100-A263-084 SIWARD希华晶振

    切割方式:AT切
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装尺寸:SX-3225
    工作模式:基频
    工作温度范围:-10℃ ~ 70℃
    年老化率:±2ppm
    标称频率:27.000000MHz
    测量仪器:S&A 250B
    温度稳定性:±15ppm
    负载电容:20pF
    频率容差:±15ppm
    驱动电平:100μW
  • SIWARD希华 XTL571200-F114-002 SIWARD希华晶振

    中心频率:12.000000 MHz
    切割方式:AT cut
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装尺寸:SX-3225
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    年老化率:±2 ppm
    并联电容(C0):≤5 pF
    振荡模式:Fundamental
    标称频率:12.000000 MHz
    测试仪器:S&A 250B
    温度稳定性:±20 ppm
    等效串联电阻(ESR):≤100 Ω
    绝缘电阻:≥500 MΩ
    负载电容:20 pF
    频率容差:±15 ppm
    驱动电平:100 μW
  • SIWARD希华 XTL571300-T234-393 SIWARD希华晶振

    中心频率:27.000000 MHz
    切割方式:ATcut
    包装方式:TP-094
    存储温度范围:-40 ℃ ~ 90 ℃
    封装尺寸:SX-3225
    工作温度范围:-20 ℃ ~ 70 ℃
    年老化率:-2 ppm ~ 2 ppm
    振动模式:Fundamental
    标称频率:27.000000 MHz
    测试仪器:S&A 250B
    温度稳定性:-10 ppm ~ 10 ppm
    负载电容:12 pF
    频率容差:-10 ppm ~ 10 ppm
    驱动电平:100 μW
  • SIWARD希华 XTL571100-C207-112 SIWARD希华晶振

    存储温度范围:-40℃ ~ 90℃
    封装尺寸:3.2mm × 2.5mm (3225)
    工作温度范围:-40℃ ~ 85℃
    年老化率:±2ppm
    温度稳定性:±20ppm
    类型:无源晶体谐振器
    负载电容:16pF
    频率:26MHz
    频率容差:±10ppm
    驱动电平:≤100μW

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