SIWARD希华 XTL571200-F114-002 SIWARD希华晶振
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2026-01-22 21:00:02
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XTL571200-F114-002
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SIWARD希华
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产品概述
SIWARD希华 XTL571200-F114-002 是一款由台湾希华晶体科技股份有限公司生产的无源贴片晶振，标称频率为12.000000 MHz，负载电容为20 pF，封装尺寸为SX-3225。该晶振采用AT切石英晶体，工作温度范围为-40℃至85℃，适用于多种高精度频率控制场景。
核心特点/优势
- 高频率精度，频率容差为±15 ppm，温度稳定性为±20 ppm
- 低老化率，年老化率≤±2 ppm，确保长期稳定性
- 低等效串联电阻（ESR）≤100 Ω，提升电路性能
- 高绝缘电阻≥500 MΩ，保障电路安全
- 采用AT切晶体，具备良好的温度补偿特性
- 符合RoHS标准，环保可靠
应用领域
- 消费电子：如智能手机、平板电脑等
- 通信设备：如基站、路由器、交换机等
- 工业控制：如PLC、工业自动化设备
- 汽车电子：如车载导航、ECU等
- 医疗设备：如监护仪、诊断设备等
选型指南/使用建议
建议根据具体应用需求选择合适的负载电容和频率值。避免使用超声波清洗和焊接，以免影响晶振性能。产品通过JIS C 6701可靠性标准测试，适用于高温、低温、高湿及振动等严苛环境。
XTL571200-F114-002 SIWARD希华晶振选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 中心频率 | 12.000000 MHz | |
| 切割方式 | AT cut | |
| 包装方式 | TP-094 | |
| 存储温度范围 | -40℃ ~ 90℃ | |
| 封装尺寸 | SX-3225 | |
| 工作温度范围 | -40℃ ~ 85℃ | |
| 年老化率 | ±2 ppm | |
| 并联电容（C0） | ≤5 pF | |
| 振荡模式 | Fundamental | |
| 标称频率 | 12.000000 MHz | |
| 测试仪器 | S&A 250B | |
| 温度稳定性 | ±20 ppm | |
| 等效串联电阻（ESR） | ≤100 Ω | |
| 绝缘电阻 | ≥500 MΩ | |
| 负载电容 | 20 pF | |
| 频率容差 | ±15 ppm | |
| 驱动电平 | 100 μW |
产品替代
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XTL571200-F114-002 SIWARD希华晶振资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| F114-002_All | 366.22 KB | 下载 |
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