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ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗

照明与传感创新的全球领导者奥地利 ams-OSRAM AG (艾迈斯欧司朗) 致力于开拓创新，打造独具一格的照明与传感解决方案。我们积淀百余载行业经验，融合卓越工程技术与全球制造实力，将热情注入前沿创新。我们在光源、可视化和传感技术领域不断突破，赢得了全球客户的信赖。我们与客户携手共进，创造颠覆性应用，让世界更安全、更智能，更可持续。“感未来，光无限”——我们深刻洞悉光之无限潜能，引领未来创新。我们驾驭可见光与不可见光，点亮世界，予人洞见。我们为光赋予智能，助力客户续写创新应用新篇章。我们凭借独树一帜的尖端照明与传感技术组合，以出众的实力引领行业发展。在我们丰富多样的产品组合中，既有高质量的半导体光发射器、传感器、CMOS IC和配套软件，也有一系列面向汽车和特殊应用的传统照明技术。我们在全球拥有约20,000名员工，所有人齐心协力投入创新，紧跟数字化、智能生活、节能和可持续发展等社会大趋势。我们的照明与传感技术在汽车、工业、医疗健康和消费电子市场树立了行业标杆，目前在全球共有约14,000项已授予和已申请专利。集团总部位于奥地利Premstaetten/格拉茨和德国慕尼黑，2023年集团收入为36亿欧元。我们的愿景和使命我们的愿景启迪照明与传感创新。我们的使命引领传感照明科技，以备受信赖的创新制造能力共创智慧和谐世界。公司理念感未来，光无限历史历经110多年发展，我们仍在积极探索如何利用技术实现创想。我们满怀热忱，创新步履不停。凭借系统专业知识和对光学解决方案的深厚了解，我们通过先进的产品和前卫的设计把握未来发展机遇。主要产品LED白光LED，彩色LED，UV-C LEDs，红外LED，多色LED，LED模组，LED配件驱动器LED 驱动器激光器彩色激光器(EEL)，彩色激光器 (VCSEL)，红外激光器(EEL)，红外激光器(VCSEL)光电探测器光电二极管，光电晶体管多芯片组合光学模组传感器环境光、颜色、光谱和接近传感器，dToF传感器，CMOS图像传感器，X射线传感器，位置传感器，电容传感器，温度传感器，主动降噪，电池管理，模拟前端接口传感器接口ASICS全方位晶圆代工服务灯具汽车，娱乐与工业应用光源应用板、套件和相关附件应用领域汽车与出行前向灯，动态前向灯，信号灯，动态信号灯，功能性照明，氛围照明，屏显背光，投影，智能表面，环境光传感，舱内传感，ADAS/AD，雨量、阳光和隧道传感，位置和角度传感，电池管理系统，汽车后市场工业机器人，家居和楼宇自动化，工厂/工业自动化，材料加工，投影和显示，工业CT机和安检机，电器和工具，门禁和安全，UV-C消毒和处理医疗与健康医疗影像，数字医疗设备，医疗照明系统移动和可穿戴设备显示管理，增强现实眼镜的可视化，身份验证，摄像增强，3D传感，人体追踪，生命体征监测照明农业和植物照明，户外和工业照明，室内照明，娱乐照明计算创新光子计数，IR LED IR:6，LED-on-foil 技术，3D深度传感技术，开放系统协议中国业务欧司朗光电半导体（中国）有限公司

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ams OSRAM BPW 21 Photodiodes

工作温度:-40°C ~ 80°C	反向电压（最大值）:10V	响应时间:1.5µs
安装类型:通孔	封装/外壳:TO-39	封装类型:TO-39
暗电流（典型值）:2nA	有效面积:7.45mm²	波长:550nm
波长峰值:550nm	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:10 V	电流 - 暗（典型值）:2nA
视角:110°	频谱范围:350nm ~ 820nm

ams OSRAM SFH 2430-Z Photodiodes

工作温度:-40°C ~ 100°C	二极管类型:引脚	响应时间:200µs
安装类型:表面贴装型	封装/外壳:2-SMD，鸥翼	有效面积:7.02mm²
波长:570nm	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:6 V	电流 - 暗（典型值）:100pA
视角:120°	频谱范围:400nm ~ 900nm

ams OSRAM SFH 203 Photodiodes

不同 nm 时响应度:0.62 A/W @ 850nm	二极管类型:引脚	反向电压（最大）:50 V
响应度（@850nm）:0.62 A/W	响应时间:5ns	安装类型:通孔
封装/外壳:径向，5mm 直径（T 1 3/4）	工作温度:-40°C ~ 100°C	工作温度范围:-40°C ~ 100°C
暗电流（典型）:1nA	有效面积:1mm²	波长:850nm
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V	电流 - 暗（典型值）:1nA	视角:40°
频谱范围:400nm ~ 1100nm

ams OSRAM SFH 2201 A01 Photodiodes

上升时间:1.6 μs	下降时间:0.04 μs	产品种类:PIN 光电二极管
半强度角度:60°	反向电压:16 V	安装风格:SMD/SMT
封装形式:Cut Tape	峰值波长:950 nm	工厂包装数量:1500
暗电流:1 nA	最大工作温度:+125 ℃	最小工作温度:-40 ℃
湿度敏感性:Yes	系列:SFH 2201 A01	零件号别名:Q65113A3135

ams OSRAM SFH 2713 Photodiodes

上升时间:22 ns	下降时间:31 ns	产品类型:PIN光电二极管
光电流:950 nA	半强度角度:63 deg	反向电压:16 V
商标:ams OSRAM	安装方式:PCB Mount	封装尺寸:3.2 mm x 2 mm
峰值波长:635 nm	暗电流:100 pA	最大工作温度:+85 C
正向电流:10 mA	湿度敏感性:Yes	零配件号别名:Q65112A8151

ams OSRAM BPW 34 SR Photodiodes

ESD抗静电能力:2 kV (HBM, Class 2)	下降时间:20 ns	产品种类:光电二极管
光电流:80 μA	功率耗散 (Pd):150 mW	半强度角度:60 deg
反向电压 (Vr):32 V	响应率:0.62 A/W	噪声等效功率 (NEP):4.1E-14 W/sqrt Hz
存储温度范围:-40 ℃ ~ +100 ℃	安装风格:SMD/SMT	封装:DIL-SMT-2
峰值波长:850 nm	工作温度范围:-40 ℃ ~ +100 ℃	暗电流:2 nA
最大工作温度:+100 ℃	最小工作温度:-40 ℃	正向电压 (Vf):1.3 V
湿度敏感等级:MSL Level 4	高度:1.2 mm

ams OSRAM SFH 203 FA Photodiodes

不同 nm 时响应度:0.6 A/W @ 850nm	不同nm时响应度:0.6 A/W @ 850nm	二极管类型:引脚
响应时间:5ns	安装类型:通孔	封装/外壳:径向
工作温度:-40°C ~ 100°C	暗电流（典型值）:1nA	有效面积:1mm²
波长:900nm	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V	电压 - DC反向 (Vr)（最大值）:50 V
电流 - 暗（典型值）:1nA	视角:40°	频谱范围:800nm ~ 1100nm

ams OSRAM SFH 203 PFA Photodiodes

不同 nm 时响应度:0.62 A/W @ 850nm	二极管类型:引脚	反向电压（最大）:50 V
响应度@850nm:0.62 A/W	响应时间:5ns	安装类型:通孔
封装/外壳:径向	封装类型:径向	工作温度:-40°C ~ 100°C
工作温度范围:-40°C ~ 100°C	暗电流（典型）:1nA	有效面积:1mm²
波长:850nm	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:50 V	电流 - 暗（典型值）:1nA
视角:150°	频谱范围:750nm ~ 1100nm

ams OSRAM SFH 2400 Photodiodes

产品种类:光电二极管	单位重量:12 mg	商标:ams OSRAM
封装:MouseReel	工厂包装数量:2000	湿度敏感性:Yes
资格:AEC-Q101	零件号别名:Q65110A2628 SFH 2400 Q65110A2628

ams OSRAM SFH 206 K Photodiodes

If - 正向电流:100 mA	Pd-功率耗散:150 mW	Vf - 正向电压:1.3 V
Vr - 反向电压 :32 V	上升时间:20 ns	下降时间:20 ns
产品:PIN Photodiodes	产品种类:光电二极管	光电流:800 uA
半强度角度:60 deg	单位重量:300 mg	响应率:0.62 A/W
商标:ams OSRAM	噪声等效功率 - NEP:4.2E-14 W/sqrt Hz	安装风格:Through Hole
宽度:4.1 mm	封装:Bulk	封装 / 箱体:T-1 3/4
峰值波长:850 nm	工厂包装数量:1000	暗电流:2 nA
最大工作温度:+ 100 C	最小工作温度:- 40 C	长度:5.1 mm
零件号别名:Q62702P0129	高度:6.9 mm

ams OSRAM SFH 205 FA Photodiodes

二极管类型:引脚	反向电压（最大）:32V	响应时间:20ns
安装方式:通孔	安装类型:通孔	封装/外壳:径向
封装类型:径向	峰值波长:900nm	工作温度:-40°C ~ 100°C
工作温度范围:-40°C ~ 100°C	暗电流（典型）:2nA	有效面积:7.02mm²
波长:900nm	电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:32 V	电流 - 暗（典型值）:2nA
视角:120°	频谱范围:800nm ~ 1100nm

ams OSRAM BPW 34 FSR Photodiodes

上升时间 (VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm):0.02 μs	下降时间 (VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm):0.02 μs	产品种类:光电二极管
光谱灵敏度 (λ = 950 nm):0.7 A/W	光谱灵敏度范围:780 ... 1100 nm	半角:60°
单位重量:43 mg	噪声等效功率 (NEP):0.036 pW/Hz¹/²	封装:Cut Tape
工厂包装数量:1500	开路电压 (E = 0.5 mW/cm², λ = 950 nm):275 mV (最小)	探测极限 (D*):7.3e12 cm·Hz¹/²/W
暗电流 (VR = 10 V):2 nA (典型), 30 nA (最大)	最大波长灵敏度:950 nm	正向电压 (IF = 100 mA):1.3 V
湿度敏感性:Yes	电压温度系数:-2.6 mV/K	电容 (VR = 0 V, f = 1 MHz):72 pF
短路电流 (E = 0.5 mW/cm², λ = 950 nm):25 μA (典型)	短路电流温度系数:0.18%/K	芯片有效区域尺寸:2.65 x 2.65 mm
资格认证:AEC-Q101	辐射敏感面积:7.02 mm²	量子效率 (λ = 950 nm):0.91 电子/光子

ams OSRAM BP 104 FASR Photodiodes

E=0.5 mW/cm², λ=870 nm 上升时间:0.02 μs	E=0.5 mW/cm², λ=870 nm 短路电流:16 μA	VR=5V, R=50Ω, λ=850 nm 下降时间:0.02 μs
λ=870 nm 开路电压:250 mV	λ=870 nm 量子效率:0.90 Electrons/Photon	产品种类:光电二极管
半角:60°	单位重量:44 mg	商标:ams OSRAM
寿命周期:寿命结束: 将过时且制造商将停产。	封装:Cut Tape	工厂包装数量:1500
探测极限 (VR=10V, λ=870 nm):5.5e12 cm·Hz^0.5/W	暗电流 (VR=10V):2 nA	最大灵敏度波长:880 nm
有效芯片区域尺寸:2.2 x 2.2 mm	正向电压 (I=100 mA):1.3 V	湿度敏感性:Yes
灵敏度光谱范围:730 ... 1100 nm	电压温度系数:-2.6 mV/K	电容 (VR=0V, f=1 MHz):48 pF
短路电流温度系数 (λ=870 nm):0.03 %/K	等效噪声功率 (VR=10V, λ=870 nm):0.040 pW/√Hz	芯片光谱灵敏度:0.63 A/W
资格:AEC-Q101	辐射敏感面积:4.84 mm²	零件号别名:Q65110A4263 BP 104 FASR Q65110A4263

ams OSRAM SFH 2770 A01 Photodiodes

ESD耐受电压:2 kV	产品种类:光电二极管	光谱灵敏度范围:480 ... 650 nm
典型光电流 (1000 lx):0.1 μA	典型暗电流:0.005 nA (max. 0.15 nA)	典型照度范围:5 ... 100000 lx
响应时间 (上升/下降):500 ns / 500 ns	商标:ams OSRAM	存储温度范围:-40°C ~ 100°C
封装:Reel	封装尺寸:2.0 mm × 1.25 mm × 0.8 mm	封装类型:0805, 无色透明环氧树脂
工作温度范围:-40°C ~ 100°C	工厂包装数量:3000	最大反向电压:2V
最大灵敏度波长:560 nm	有效光敏面积:0.16 mm²	温度系数 (短路电流):0.02%/K
湿度敏感性:Yes	电容:42 pF

ams OSRAM SFH 2505 FA Photodiodes

ESD抗静电能力（HBM）:2 kV	产品种类:光电二极管	供电电压范围:1.45V 至 5.5V
光谱响应范围:450 ... 705 nm	光谱灵敏度:典型 1000 nA/lx	典型暗电流:3.4 nA
半角:典型 60°	单位重量:35 mg	响应时间:典型 14000 μs
商标:ams OSRAM	存储温度范围:-40°C 至 100°C	封装:MouseReel
工作温度范围:-40°C 至 100°C	工作电流温度系数:-0.07% / K	工厂包装数量:1000
最大供电电压:6V	最大供电电流:15 mA	最大供电电流（100 lx）:135 μA
最大暗电流:50 nA	最大正向电压:0.56V	最大正向电流:0.5 mA
最大灵敏度波长:600 nm	湿度敏感性:Yes	输出阻抗:典型 10 MΩ
零件号别名:Q65110A1204 SFH 2505 FA Q65110A1204

ams OSRAM SFH 203 P Photodiodes

If - 正向电流:80 mA	Pd-功率耗散:150 mW	Vf - 正向电压:1.3 V
Vr - 反向电压 :50 V	上升时间:5 ns	下降时间:5 ns
产品:PIN Photodiodes	产品种类:光电二极管	光电流:9.5 uA
半强度角度:75 deg	单位重量:300 mg	响应率:0.62 A/W
商标:ams OSRAM	噪声等效功率 - NEP:2.9E-14 W/sqrt Hz	安装风格:Through Hole
宽度:5 mm	封装:Bulk	封装 / 箱体:T-1 3/4
峰值波长:850 nm	工厂包装数量:1000	暗电流:1 nA
最大工作温度:+ 100 C	最小工作温度:- 40 C	长度:5.9 mm
零件号别名:Q62702P0942	高度:5 mm

ams OSRAM SFH 2716 A01 Photodiodes

ESD抗扰度（CDM）:400 V	ESD抗扰度（HBM）:2 kV	上升时间:typ. 14000 μs
光谱灵敏度:typ. 1000 nA/lx	光谱范围:450 ... 705 nm	半强度角度:60°
单位重量:4 mg	反向电压:16 V	安装风格:SMD/SMT
封装类型:MouseReel	峰值波长:620 nm	工作温度范围:-40°C 至 +100°C
工作电压范围:1.45V 至 5.5V	工厂包装数量:3000	暗电流:10 pA
最大供电电压:6V	最大供电电流:10000 μA	最大灵敏度波长:600 nm
湿度敏感性:Yes	资格认证:AEC-Q101	输出暗电流:max. 50 nA, typ. 3.4 nA
输出电流（典型值）:135 μA	输出阻抗:typ. 10 MΩ

ams OSRAM SFH 2201 Photodiodes

ESD 耐受电压（HBM）:2 kV	上升时间:典型 14000 μs	二极管类型:引脚
供电电压范围:1.45V ~ 5.5V	供电电流范围:0.01 μA ~ 10000 μA	光谱响应范围:450 ... 705 nm
光谱灵敏度:典型 1000 nA/lx	响应时间:40ns	安装类型:表面贴装型
封装/外壳:2-SMD，无引线	工作温度:-40°C ~ 85°C	工作电流温度系数:-0.07% / K
最大灵敏度波长:600 nm	有效面积:8.12mm²	波长:950nm
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:16 V	电流 - 暗（典型值）:1nA	视角:120°
输出暗电流:最大 50 nA，典型 3.4 nA	输出电流（典型值）:135 μA	输出阻抗:典型 10 MΩ
频谱范围:300nm ~ 1100nm

ams OSRAM SFH 2700 A01 Photodiodes

上升时间:0.12 us	下降时间:0.12 us	产品种类:PIN Photodiodes
光电流:1.5 uA	半强度角度:70 deg	反向电压:5 V
安装风格:SMD/SMT	封装:SMD-2	峰值波长:890 nm
工厂包装数量:3000	暗电流:5 nA	最大工作温度:+100 C
最小工作温度:-40 C	正向电流:5 mA	湿度敏感性:Yes
系列:CHIPLED	资格认证:AEC-Q101	零件号别名:Q65112A4786