B_op (Gs,25°C):45 |
B_rp (Gs,25°C):-45 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR1212 |
供电电压:1.8~5.5 V |
兼容型号:— |
功耗:1.5uA |
响应频率:1kHz |
封装形式:SOT23-3 TO92S |
工作模式:连续供电 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作点磁场(B_op):45 Gs |
敏感方向:X轴 |
磁存储工作磁场(Bops):60 Gs |
磁存储释放磁场(BRps):-60 Gs |
类型:双极锁存 |
输出低电压(VoL):≤0.2 V |
输出接口:CMOS |
输出高电压(VoH):Vcc-0.3 ~ Vcc V |
释放点磁场(B_rp):-45 Gs |
B_op (Gs,25°C):75 |
B_rp (Gs,25°C):-75 |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR1213 |
供电电压:1.8~5.5 V |
兼容型号:— |
功耗:1.5μA |
响应频率:1kHz |
回差 (B_H):150 Gs |
封装形式:SOT23-3, TO92S |
工作模式:连续供电 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作点磁场 (B_op):75 Gs |
工作电压:1.8~5.5 V |
敏感方向:X轴 |
磁存储工作磁场 (B_ops):90 Gs |
磁存储释放磁场 (B_rps):-90 Gs |
类型:双极锁存 |
输出接口:CMOS |
释放点磁场 (B_rp):-75 Gs |
B_op (Gs,25°C):35 |
B_rp (Gs,25°C):-35 |
ESD性能 (HBM):4 kV |
交付周期:In stock |
产品型号:TMR1215 |
供电电压:1.8~5.5 V |
储存温度范围:-50~125 ℃ |
兼容型号:— |
功耗:1.5uA |
回差 (B_H):70 Gs |
封装形式:SOT23-3, TO92S |
工作模式:连续供电 |
工作温度范围:-40~125 ℃ |
工作点磁场 (B_op):35 Gs |
工作电流:1.5 μA |
工作频率:1 kHz |
敏感方向:X轴 |
类型:双极锁存 |
输出接口:CMOS |
释放点磁场 (B_rp):-35 Gs |
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