Dowaytech 多维科技 TMR1212 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器
多维科技 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器 TMR1212
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2025-11-20 01:18:46
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TMR1212
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产品概述
TMR1212是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术的高灵敏度、高速、低功耗、高精度双极磁开关。该产品具备磁存储功能，即使在掉电情况下，也能探测磁场极性变化并存储在磁存储单元中，上电后可立即读取最近一次的磁场状态。TMR1212采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。其内部电压稳压器提供温度补偿电源，并支持宽工作电压范围，适用于多种低功耗、高性能应用场景。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻（TMR）技术，灵敏度高
- 超低功耗，仅1.5μA
- 1kHz高频率响应
- 双极锁存型开关，具备掉电磁存储功能
- 宽工作电压范围（1.8～5.5 V）
- 卓越的温度稳定性
- 优越的抗外磁场性能
应用领域
- 计量仪表（水表、气表、热量表）
- 固态开关
- 速度检测
- 线性及旋转位置检测
- 电梯门机双稳定开关
选型指南/使用建议
TMR1212提供两种封装形式：SOT23-3（TMR1212S）和TO92S（TMR1212T），适用于不同电路设计需求。建议在电源和地之间连接0.1μF的滤波电容以降低外部噪声干扰。产品支持-40~125℃的工作温度范围，适用于工业和消费类电子设备。
TMR1212 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| B_op (Gs,25°C) | 45 | |
| B_rp (Gs,25°C) | -45 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR1212 | |
| 供电电压 | 1.8～5.5 V | |
| 兼容型号 | — | |
| 功耗 | 1.5uA | |
| 响应频率 | 1kHz | |
| 封装形式 | SOT23-3 TO92S | |
| 工作模式 | 连续供电 | |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ | |
| 工作点磁场(B_op) | 45 Gs | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 磁存储工作磁场(Bops) | 60 Gs | |
| 磁存储释放磁场(BRps) | -60 Gs | |
| 类型 | 双极锁存 | |
| 输出低电压(VoL) | ≤0.2 V | |
| 输出接口 | CMOS | |
| 输出高电压(VoH) | Vcc-0.3 ~ Vcc V | |
| 释放点磁场(B_rp) | -45 Gs |
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TMR1212 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| index | 670.91 KB | 下载 |
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