动态范围:4000:1 (72 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
像素响应非均匀性 (PRNU):±15% |
像素尺寸:63.5 μm × 55.5 μm |
像素数量:768 |
像素间距:63.5 μm |
响应度 (Re):20 至 38 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型 |
存储温度范围:-25°C 至 85°C |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压范围:3 V 至 5.5 V |
暗信号非均匀性 (DSNU):0.05 V 至 0.15 V |
最大时钟频率:8 MHz |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:66.25 μs |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出电压范围:0 V 至 4.8 V (5 V 供电) |
输出类型:模拟电压 |
非线性度:0.4% 典型 |
饱和曝光 (SE):155 nJ/cm² (5 V 供电) |
饱和输出电压 (Vsat):4.5 V 至 4.8 V (5 V 供电) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电压范围:4.5V~5.5V |
供电电流 (输出空闲):28~45 mA |
像素响应非均匀性 (PRNU):±7%~±20% |
像素数量:512 |
响应度:16~28 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% |
存储温度范围:-25°C~85°C |
工作温度范围:-25°C~85°C |
工作频率范围:5kHz~5MHz |
暗信号非均匀性 (DSNU):25~120 mV |
最大输出电流:-25 mA~25 mA |
积分时间范围:0.1026ms~100ms |
输入电容 (CLK):40 pF |
输入电容 (SI):40 pF |
输出低电平电压 (SO):0.01~0.4 V |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出类型:模拟电压 |
输出高电平电压 (SO):4.5~4.95 V |
饱和输出电压:2.5~3.4 V |
动态范围:2000:1 (66 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电流(输出空闲):7~10 mA |
像素尺寸:120 μm (H) × 70 μm (W) |
像素数量:128 |
像素间距:125 μm |
响应度:18~30 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型 |
工作温度范围:-25°C ~ 85°C |
工作电压:5 V |
工作频率:5 MHz |
输入电容(CLK):10 pF |
输入电容(SI):5 pF |
输出类型:模拟电压 |
饱和输出电压:2.5~3.4 V |
供电电流:3.4 mA 至 5 mA |
像素尺寸:120 μm (H) × 70 μm (W) |
像素数量:64 |
像素间距:125 μm (中心到中心), 55 μm (像素间) |
光谱响应范围:400 nm 至 1000 nm |
动态范围:2000:1 (66 dB) |
响应时间:185 ns (±1% 输出稳定时间) |
图像滞后:0.5% (典型) |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压:4.5 V 至 5.5 V |
工作频率:5 MHz |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:12.8 ms |
线性度:±0.4% |
输出噪声:1 mVrms |
输出接口:模拟输出 (AO) |
输出电压范围:0 V (无光) 至 3.4 V (饱和) |
输出负载电容:470 pF |
输出负载电阻:330 Ω |
非均匀性:±4% (最大 ±7.5%) |
ESD耐受性:2000 V |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电压范围:4.5 V 至 5.5 V |
供电电流:53 mA 至 80 mA |
像素响应非均匀性(PRNU):7% 至 20% |
像素数量:896 |
响应度(Re):16 V/(μJ/cm²) 至 28 V/(μJ/cm²) |
响应波长范围:400 nm 至 1000 nm |
图像滞后:0.5% |
存储温度范围:-25°C 至 85°C |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作频率范围:5 kHz 至 5000 kHz |
暗信号非均匀性(DSNU):25 mV 至 120 mV |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:179.2 μs |
模拟输出电压范围:0 V 至 3.4 V |
输入电容(CLK):70 pF |
输入电容(SI):35 pF |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出类型:模拟,I²C,SPI |
非线性度:±0.4% |
饱和曝光(SE):155 nJ/cm² |
饱和输出电压:2.5 V 至 3.4 V |
动态范围:4000:1 (72 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
像素响应非均匀性 (PRNU):±15% |
像素尺寸:63.5 μm × 55.5 μm |
像素数量:768 |
像素间距:63.5 μm |
分辨率:400 Dots Per Inch (DPI) |
响应度 (Re):20 至 38 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型值 |
存储温度范围:-25°C 至 85°C |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压:3 V 至 5.5 V |
暗信号非均匀性 (DSNU):0.05 V 至 0.15 V |
最大时钟频率:8 MHz |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:66.25 μs |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出电压范围:0 V 至 4.8 V (5 V供电时) |
输出类型:模拟电压 |
非线性度:0.4% 典型值 |
饱和曝光 (SE):155 nJ/cm² (5 V供电时) |
饱和输出电压 (Vsat):4.5 V 至 4.8 V (5 V供电时) |
动态范围:400:1 (72 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
像素响应非均匀性 (PRNU):±20% |
像素尺寸:63.5 μm × 55.5 μm |
像素数量:1536 |
像素间距:63.5 μm |
响应度:20 V/(μJ/cm²) 至 38 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型值 |
工作温度范围:0°C 至 85°C |
工作电压范围:3 V 至 5.5 V |
暗信号非均匀性 (DSNU):0.05 V 至 0.15 V |
最大时钟频率:8 MHz |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:113.75 μs |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出电压范围:0 V 至 4.8 V (5 V 供电) |
输出类型:模拟 |
非线性度:±0.4% |
饱和输出电压:4.5 V 至 4.8 V (5 V 供电) |
动态范围:200:1 (66 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电压:5 V |
像素尺寸:120 μm (H) × 68 μm (W) |
像素数量:64 |
像素间距:125 μm |
响应度:18 至 23 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型值 |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作频率:5 MHz |
积分时间范围:0.013 ms 至 100 ms |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出类型:模拟电压 |
饱和输出电压:2.5 至 3.4 V |
动态范围:400:1 (72 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电流 (IDD):30 至 45 mA (5 V供电) |
像素尺寸:63.5 μm × 55.5 μm |
像素数量:1280 |
像素间距:63.5 μm |
响应度 (Re):20 至 38 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型值 |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压范围:3 V 至 5.5 V |
最大时钟频率:8 MHz |
线性度:±0.4% |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出类型:模拟 |
饱和输出电压 (Vsat):4.8 V (5 V供电) |
动态范围:400:1 (72 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电流:5 mA 至 9 mA |
像素尺寸:63.5 μm × 55.5 μm |
像素数量:256 |
像素间距:63.5 μm |
响应度:25 至 45 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型 |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压范围:3 V 至 5.5 V |
暗信号非均匀性:0.04 至 0.12 V |
最大时钟频率:8 MHz |
输出电压范围:0 V 至 4.8 V (5 V 供电) |
输出类型:模拟电压 |
非线性度:±0.4% |
饱和输出电压:4.8 V (5 V 供电), 2.8 V (3 V 供电) |
动态范围:2000:1 (66 dB) |
传感器类型:线性光学阵列 |
供电电压:5 V |
像素响应非均匀性 (PRNU):±4% 典型 |
像素尺寸:120 μm (H) × 70 μm (W) |
像素数量:64 |
像素间距:125 μm (中心间距), 55 μm (像素间) |
典型输出电压 (白色):2 V |
响应波长范围:400 nm 至 1000 nm |
响应率 (Re):18 至 23 V/(μJ/cm²) |
图像滞后:0.5% 典型 |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作频率:5 MHz |
暗信号非均匀性 (DSNU):25 mV 典型 |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出类型:模拟电压 |
饱和曝光 (SE):142 nJ/cm² 典型 |
饱和输出电压:3.4 V |
封装形式:Reel |
RoHS:Y |
产品类型:Optical Sensors |
像素尺寸:85 μm (H) × 77 μm (W)(内像素), 132 μm (H) × 49 μm (W)(端像素) |
像素数量:102 |
分辨率:8 bit |
商标:ams |
子类别:Sensors |
安装风格:SMD/SMT |
封装:Reel |
封装数量:1000 |
封装类型:SMD/SMT |
峰值波长:660 nm |
工作温度范围:-25 ℃ 至 85 ℃ |
工作电压:3 V 至 5.5 V |
工作电流:17 mA |
工作电源电压:5 V |
工作电源电流:17 mA |
工厂包装数量:1000 |
接口类型:3-Wire, USART |
最大工作温度:85 ℃ |
最小工作温度:-25 ℃ |
说明:光学数位转换器 Linear Sensor Array 300dpi 102 pixel |
RoHS:Y |
产品:Light to Voltage Converters |
产品类型:Optical Sensors |
像素尺寸:63.5μm x 55.5μm |
像素数量:128 x 1 |
像素间距:63.5μm (中心间距), 8μm (像素间间距) |
分辨率:400 Dots-Per-Inch (DPI) |
商标:ams |
均匀性:高均匀性 |
子类别:Sensors |
封装数量:2800 |
工作模式:内部控制逻辑,仅需串行输入(SI)信号和时钟 |
工厂包装数量:2800 |
线性度:高线性 |
说明:光频率和光电压 Linear Array Sensor |
输出特性:rail-to-rail输出摆幅 |
动态范围:2000:1 (66 dB) |
封装形式:卷盘 (Reel) |
RoHS:Y |
产品:Light to Voltage Converters |
产品类型:Optical Sensors |
像素响应非均匀性 (PRNU):±4% 至 ±7.5% |
像素尺寸:120 μm × 68 μm |
像素数量:64 × 1 |
像素间距:125 μm |
响应度 (Re):18 至 23 V/(μJ/cm²) |
商标:ams |
图像滞后 (Image Lag):0.5% 典型值 |
子类别:Sensors |
存储温度范围:-25°C 至 85°C |
封装:Reel |
封装数量:1000 个/卷 |
工作温度范围:-25°C 至 85°C |
工作电压:5 V |
工厂包装数量:1000 |
暗信号非均匀性 (DSNU):25 mV 至 120 mV |
最大时钟频率:5 MHz |
最大积分时间:100 ms |
最小积分时间:13 ms |
电源电流 (输出空闲):3.4 至 5 mA |
系列:TSL201 |
说明:光频率和光电压 Linear Sensor Array 64 x 1 |
输出噪声电压:1 mVrms |
输出电压范围:0 V 至 3.4 V |
输出类型:模拟电压输出 |
非线性度:±0.4% |
饱和曝光 (SE):142 nJ/cm² |
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