反向传输电容(Crss):5pF |
存储温度:-65°C至150°C |
工作频率:1 MHz至500 MHz |
最大工作结温:200°C |
最大耗散功率:87.5W |
最小增益:12dB |
漏极电流:10A |
漏源击穿电压:70V |
结壳热阻:最大2.0°C/W |
输入电容(Ciss):120pF |
输出电容(Coss):60pF |
交叉电容:1pF |
存储温度:-65°C至150°C |
封装类型:SO8 |
工作频率:1MHz到1GHz |
最大工作结温:200°C |
最大漏极电流:4A |
最小增益:10dB |
栅源击穿电压:±20V |
漏源击穿电压:40V |
输入电容:12pF |
输出电容:10pF |
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