Dowaytech TMR1208S TMR磁开关传感器芯片

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2025-12-16 21:00:02
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产品概述

TMR1208S 磁开关芯片是集成了隧道磁阻 (TMR) 传感器和 CMOS 电路的双极锁存型磁开关芯片,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号,以实现位置的精确检测。

与 Hall/AMR 传感器不同,TMR 传感器具有极高的电阻值,使此系列开关芯片工作在全时供电模式,保持低功耗的同时实现了真正的磁场信号连续检测,避免了传统的分时供电模式产生的采样误差。此系列芯片静态供电电流低至 1.5 μA,并且保持了 5 kHz 的磁信号响应频率。

产品特性

  • 隧道磁阻 (TMR) 技术
  • 低功耗 (静态电流 1.5 μA)
  • 高频率响应 (至 5 kHz)
  • 双极锁存型磁开关
  • 宽工作电压 (1.8 V ~ 5.5 V)
  • CMOS 推挽输出
  • 高灵敏度
  • 卓越的温度稳定性
  • 优越的抗外磁场性能
  • 符合 RoHS & REACH

典型应用

  • 水表、气表和热量表
  • 接近开关
  • 速度检测
  • 线性及旋转位置检测
  • 唤醒磁开关


TMR1208S TMR磁开关传感器芯片选型参数

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更多规格
供应商器件封装 SOT-23-3
供电电压范围 1.8V ~ 5.5V
功能 锁存器,双极开关
响应频率 >1kHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-3
工作温度 -40°C ~ 125°C(TA)
工作电流 1.5µA
感应范围 0.5mT 跳闸,-0.5mT 释放
技术 磁阻
极化 北极,南极
测试条件 25°C
特性 温度补偿
电压 - 供电 1.8V ~ 5.5V
电流 - 供电(最大值) 1.5µA(标准)
电流 - 输出(最大值) 9mA
输出低电平电压 0V ~ 0.2V
输出类型 推挽式
输出高电平电压 Vcc-0.3V ~ Vcc

产品替代

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TMR1208S TMR磁开关传感器芯片资源附件
文件名称 大小 操作
MDT-Switch-Sensors-TMR1202-TMR1208-Datasheet-CN-V2.1.1 1.45 MB
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