产品概述
GN201是一款高性能氮化镓（GaN）霍尔芯片，采用独特的量子阱结构，具备卓越的磁场检测能力。该芯片支持高达±2 T的磁场测量范围，分辨率高达200 nT，并在整个量程范围内保持0.5%的线性度误差，能够精准捕捉微弱磁场变化，适用于高精度磁场测量和工业自动化等场景。
核心特点/优势
- 超高分辨率：在±2 T量程内实现200 nT的分辨率，可检测极微弱磁场变化
- 宽量程测量：支持±2 T的磁场测量范围，适应多种复杂磁场环境
- 高线性度：全量程范围内线性度误差≤0.5%，确保测量精度
- 宽温工作：支持-40℃~150℃工作温度，适用于恶劣工业环境
应用领域
- 工业自动化中的磁场检测与定位
- 精密仪器与科学实验中的磁场测量
- 传感器系统中的高精度磁场采集
- 新能源与电力系统中的电流/磁场监测
选型指南/使用建议
GN201采用TO94封装，适用于需要高精度磁场测量的工业和科研场景。建议在-40℃~150℃的温度范围内使用，以确保最佳性能。适合高斯计、钳形电流表等需要高精度、宽量程、高线性度的仪器仪表中。
GN201 角度传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 性 能 | ||
| 分辨率 | 200 nT | |
| 环 境 | ||
| 存储温度 | -40 ~ 150℃ | |
| 工作温度 | -40 ~ 150℃ | |
| 更多规格 | ||
| Input Current | 0.5 ~ 5 mA | |
| Input Output Resistance | 1000 ~ 1200 Ω | |
| Linearity | 0.5% | |
| Max Input Current | 5 mA | |
| Max Input Power | 30 mW | |
| Offset Voltage | -2.5 ~ 2.5 mV | |
| Output Hall Voltage | 6 ~ 6.5 mV | |
| Package | TO94 | |
| Sensitivity | 48 ~ 52 V/(A·T) | |
| Subcategory | Hall Element | |
| Temperature Coefficient of Input Resistance | ≤1 %/℃ | |
| Temperature Coefficient of Output Hall Voltage | 0.02 ~ 0.04 %/℃ |
产品替代
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GN201 角度传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| 氮化镓霍尔元件_MS-GN201_规格书_2026.1.8_V1.1 | 1.86 MB | 下载 |
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