汉威半导体 DM31X003 MCU

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2026-08-20 04:38:48
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  • DM31X003

  • 微处理器

  • 汉威半导体

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产品概述

DM31X003 是一款内嵌 32 位 ARM® Cortex®-M0+内核的超低功耗、Low Pin Count和宽电压工作范围 (2.5V~5.5V) 的微控制器,最高可运行在 24MHz,内置 32K/64K 字节的嵌入式 Flash,4K 字节的 SRAM,集成了 12 位 1Msps 高精度 SAR 型 ADC、RTC、比较器、多路 UART、SPI、I2C 和 PWM 等丰富的外设接口,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。

核心特点/优势

  • 高性能低功耗内核:ARM Cortex-M0+架构,最高24MHz运行频率,支持Sleep与Deep Sleep双低功耗模式,待机电流极低。
  • 丰富外设集成:内置12位1Msps ADC、RTC万年历、硬件CRC-16、蜂鸣器发生器、电压比较器及LVD,大幅减少外部元件。
  • 强大定时器系统:包含高级控制定时器(支持互补PWM与死区生成)、通用定时器、PCA及多路基础/低功耗定时器,满足复杂控制需求。
  • 宽电压与高可靠性:2.5V~5.5V宽压工作,-40℃~+85℃工业级温度范围,支持Flash擦写保护与硬件时钟监视。
  • 便捷开发支持:支持SWD调试、ISP在线编程,兼容Keil/IAR等主流开发环境。

应用领域

  • 小家电
  • 充电器
  • 遥控器
  • 电子烟
  • 燃气报警器
  • 数显表
  • 温控器
  • 记录仪
  • 电机驱动
  • 智能门锁
  • 智慧传感器
  • 智慧家居
  • 智慧城市

选型指南/使用建议

根据程序存储空间需求选择DM31X003F6(32KB Flash)或DM31X003F8(64KB Flash),两者引脚定义与外设完全兼容。建议外部晶振匹配推荐负载电容;低功耗模式下需注意RTC与AWK中断配置以正确唤醒;Flash编程前请确保电压稳定在2.5V以上。工作温度-40℃~+85℃,建议避免在强电磁干扰或极端湿度环境下长期运行,必要时增加TVS或滤波电容。提供TSSOP20与QFN20两种封装,QFN20散热性能更优,适合高密度PCB布局。

DM31X003 微处理器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
ADC分辨率 12位
ADC通道数 7
ADC采样率 1Msps
Flash容量 32K/64K字节
GPIO数量 16
RTC支持 支持
SRAM容量 4K字节
内核架构 ARM Cortex-M0+
定时器配置 1高级控制+1通用+1PCA+2基础+1低功耗+1自动唤醒+1窗口看门狗+1独立看门狗
封装形式 TSSOP20, QFN20
工作温度 -40℃~+85℃
工作电压 2.5V~5.5V
最高主频 24MHz
看门狗 窗口看门狗, 独立看门狗
通信接口 UART×2, LPUART×1, SPI×1, I2C×1, 1-WIRE×1

产品替代

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