ams OSRAM AS5510-WL_EK_AB Magnetic Sensor Development ToolsDevelopment Tools
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ams-OSRAM 艾迈斯欧司朗
产品概述
ams OSRAM AS5510 是一款基于线性霍尔效应的高精度位置传感器，具有 10 位分辨率和 I²C 接口。该传感器可测量磁铁横向位移，适用于需要非接触式位置检测的多种应用场景。AS5510 支持多种磁输入范围配置，并提供低功耗待机模式，适用于电池供电设备。产品提供 WLCSP 和 SOIC8 两种封装形式，工作温度范围为 -30 ℃ 至 +85 ℃。
核心特点/优势
- 非接触式测量，提高系统可靠性和耐用性
- 10 位分辨率，提供高精度位置检测
- 支持多种磁输入范围配置，适应不同应用场景
- 低功耗待机模式，适用于电池供电设备
- I²C 接口，易于集成和配置
- 提供 WLCSP 和 SOIC8 两种封装，满足不同空间需求
应用领域
- 位置检测
- 伺服驱动反馈
- 相机镜头控制
- 闭环位置控制
选型指南/使用建议
AS5510 提供 WLCSP 和 SOIC8 两种封装形式，适用于不同空间和安装需求。建议在 -30 ℃ 至 +85 ℃ 的工作温度范围内使用，供电电压范围为 2.5 V 至 3.6 V。使用时需确保 I²C 接口连接稳定，并根据磁铁尺寸和测量范围选择合适的磁输入范围配置。产品支持通过 I²C 接口进行灵敏度设置和系统校准。
AS5510-WL_EK_AB Magnetic Sensor Development ToolsDevelopment Tools选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| I2C地址 | 1010110b (56h) 或 1010111b (57h) | |
| 供电电压范围 | 2.5 V ~ 3.6 V | |
| 分辨率 | 10 bit | |
| 存储温度范围 | -55 ℃ ~ +125 ℃ | |
| 封装形式 | WLCSP, SOIC8 | |
| 封装类型 | WLCSP, SOIC8 | |
| 工作温度范围 | -30 ℃ ~ +85 ℃ | |
| 工作电流 | 3.5 mA (典型), 25 μA (待机电流) | |
| 工作电源电压 | 3 V | |
| 接口类型 | I2C | |
| 最大工作温度 | +85 ℃ | |
| 最小工作温度 | -30 ℃ | |
| 测量对象 | 磁铁横向位移 | |
| 测量方式 | 线性霍尔效应 | |
| 测量范围 | 0.5 mm ~ 2 mm (空气间隙约 1 mm) | |
| 磁输入范围 | ±50 mT (默认), ±25 mT, ±12.5 mT, ±18.75 mT (可配置) | |
| 通信协议 | I²C |
产品替代
资料下载
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| AMS_AS5510_Datasheet-1214611 | 685.81 KB | 下载 |
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