ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52012HFV-TR 板机接口霍耳效应/磁性传感器
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2026-06-28 20:25:56
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BU52012HFV-TR
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产品概述
ROHM Semiconductor BU52012HFV-TR 是一款单极检测霍尔效应/磁性传感器，适用于需要检测磁场方向的应用。该传感器采用 HVSOF-5 封装，支持 SMD/SMT 安装方式，工作电压范围为 1.65 V 至 3.3 V，适用于低功耗设备。其检测方式为单极检测，仅对 S 极磁场响应，输出为 CMOS 电平，适用于多种电子设备中的磁性检测需求。
核心特点/优势
- 单极检测，仅对 S 极磁场响应
- 超低功耗设计，平均电流仅 3.5 μA
- 支持 1.65 V 至 3.3 V 的宽电压范围
- 工作温度范围为 -40 ℃ 至 +85 ℃，适用于多种环境
- 采用 HVSOF-5 小型封装，适合空间受限的应用
- 具备高 ESD 抗扰能力，达到 8 kV（HBM）
应用领域
- 移动电话
- 笔记本电脑
- 数字摄像机
- 数码相机
选型指南/使用建议
BU52012HFV-TR 适用于需要检测 S 极磁场的低功耗应用。建议在设计时考虑其工作电压范围（1.65 V 至 3.3 V）和封装形式（HVSOF-5）。该传感器支持 SMD/SMT 安装方式，适合自动化生产。在使用时需注意其工作周期为 50 ms，输出为 CMOS 电平，适用于多种数字接口。此外，其 RoHS 合规性使其适用于环保要求较高的产品。
BU52012HFV-TR 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 安装方式 | SMD/SMT | |
| 工作温度 | -40 ℃ ~ +85 ℃ | |
| 输出类型 | CMOS | |
| 封装形式 | HVSOF-5 | |
| RoHS | Y | |
| 产品类型 | Hall Effect / Magnetic Sensors | |
| 启动电流 | 2.8 mA | |
| 商标 | ROHM Semiconductor | |
| 子类别 | Sensors | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 封装 | Reel | |
| 封装 / 箱体 | HVSOF-5 | |
| 封装方式 | Reel | |
| 工作周期 | 50 ms | |
| 工作电压 | 1.65 V ~ 3.3 V | |
| 工作电源电压 | 2.5 V | |
| 工厂包装数量 | 3000 | |
| 待机电流 | 1.8 μA | |
| 最大工作温度 | + 85 C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 检测类型 | Unipolar | |
| 电源电流（平均） | 3.5 μA | |
| 磁感应操作点 | 3.0 mT | |
| 磁感应释放点 | 2.1 mT | |
| 磁滞 | 0.9 mT | |
| 端接类型 | SMD/SMT | |
| 类型 | Unipolar | |
| 系列 | BU52012HFV | |
| 说明 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 MONO DETECTION SENSOR; 1.65-3.3V |
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BU52012HFV-TR 板机接口霍耳效应/磁性传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| bu52002gul-e-312781.pdf | 520.06 KB | 下载 |
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