ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52040HFV-TR 板机接口霍耳效应/磁性传感器
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2026-06-28 20:11:55
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BU52040HFV-TR
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ROHM Semiconductor 罗姆半导体
产品概述
BU52040HFV 是 ROHM Semiconductor 推出的一款霍耳效应集成电路，专为轮键和轨迹球等应用设计。该器件能够检测磁场从 N 极到 S 极（或相反）的切换，并在下一次切换之前保持输出状态。当检测到 S 极磁场时输出为低电平，检测到 N 极磁场时输出为高电平。该 IC 适用于检测轮键、轨迹球或其他类似应用中的轴旋转次数。使用两个 IC 还可以实现旋转方向的检测。
核心特点/优势
- 专为轮键或轨迹球设计，适用于无接触选择旋钮
- 微功耗运行，通过间歇性操作方法实现低电流消耗
- 超小型封装，节省空间
- 支持 1.8 V 供电电压，适用于低功耗系统
- 高静电放电（ESD）抗扰度：8 kV（HBM）
应用领域
- 轮键（无接触选择旋钮）
- 轨迹球
- 其他接口应用
选型指南/使用建议
BU52040HFV 采用 HVSOF-5 封装，适用于表面贴装（SMD/SMT）安装。工作电压范围为 1.65~3.3 V，支持低功耗运行。建议在系统设计中考虑其工作周期（500 μs）和启动时间（24 μs），以确保输出信号的稳定读取。在使用时，应确保磁通密度在 Bop 和 Brp 之间切换，以实现准确的输出状态切换。此外，建议在电源引脚上添加 0.1 μF 的旁路电容以减少电压噪声。
BU52040HFV-TR 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 磁滞宽度 | 6.0 mT | |
| 最大工作温度（焊接） | +85 C | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 工作温度 | -40 C | |
| 输出接口类型 | CMOS | |
| 封装内含 | Reel | |
| 封装材料 | HVSOF-5 | |
| 封装数量 | 3000 | |
| RoHS | Y | |
| 电流消耗（待机模式） | 2.0 μA | |
| 储存温度范围 | -40~+125 °C | |
| 子类别 | 霍耳效应/磁性传感器 | |
| 工作电源电压 | 3.3 V | |
| 类 型 | Bipolar Latch | |
| 产品类型 | Hall Effect / Magnetic Sensors | |
| 启动电流 | 3.0 mA | |
| 商标 | ROHM Semiconductor | |
| 子类别 | Sensors | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 封装 | Reel | |
| 封装 / 箱体 | HVSOF-5 | |
| 工作周期 | 500 μs | |
| 工作电流（平均） | 200 μA | |
| 工作电源电压 | 3.3 V | |
| 工厂包装数量 | 3000 | |
| 操作点（Bop） | +3.0 mT | |
| 最大工作温度 | + 85 C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 端接类型 | SMD/SMT | |
| 类型 | Bipolar Latch | |
| 系列 | BU52040HFV | |
| 说明 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 DETECTION LATCH SENS BIPOLAR 1.65-3.3V | |
| 释放点（Brp） | -3.0 mT | |
| 静电放电（ESD）抗扰度 | 8 kV (HBM) |
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