ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52075GWZ-E2 板机接口霍耳效应/磁性传感器

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2026-06-28 18:01:16
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产品概述

BU52075GWZ-E2 是 ROHM Semiconductor 推出的一款双输出全极性检测霍尔效应传感器。该器件能够分别检测磁铁的南磁极和北磁极,并通过两个独立输出端(OUT1 和 OUT2)输出检测结果。该传感器采用间歇性工作模式,以极低的功耗实现磁极检测,适用于需要检测盖板开合状态、显示屏方向或旋转方向的设备。

核心特点/优势

  • 全极性检测:支持南磁极和北磁极的独立检测,分别通过 OUT1 和 OUT2 输出。
  • 超低功耗:工作电流低至 5 μA,适合电池供电设备。
  • 超小型封装:采用 UCSP35L1 封装,尺寸仅为 0.80 mm x 0.80 mm x 0.40 mm。
  • 高 ESD 抗扰度:8 kV (HBM),增强设备可靠性。
  • 宽电压工作范围:支持 1.65 V 至 3.6 V 电源电压。
  • 宽温工作范围:-40°C 至 +85°C,适用于多种环境。

应用领域

  • 平板电脑和智能手机:用于检测盖板开合状态。
  • 笔记本电脑:用于检测显示屏的开合状态。
  • 数字摄像机和数码相机:用于检测显示屏方向或旋转方向。

选型指南/使用建议

BU52075GWZ-E2 采用 CSP-4 封装,适用于表面贴装(SMD/SMT)安装。建议在磁铁与传感器之间保持适当距离以确保检测精度。磁铁推荐使用钕磁铁,以获得更高的磁通密度。在设计中需注意磁铁的安装方向,确保磁场垂直于传感器表面。此外,建议在电源引脚上添加 0.1 μF 的旁路电容以稳定供电。

BU52075GWZ-E2 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
更多规格
磁滞宽度 0.9 mT
工作电流 (Icc) 5 μA
工作温度 -40°C 至 +85°C
工作电压保护范围 1.65 V 至 3.6 V
输出接口类型 CMOS
封装类型 CSP-4
RoHS Y
灵敏度(最大值) ±9.5 mT
产品 Hall Effect Latches / Switches
产品类型 Hall Effect / Magnetic Sensors
商标 ROHM Semiconductor
子类别 Sensors
安装风格 SMD/SMT
寿命周期 新产品: 此制造商的新产品。
封装 Reel
封装 / 箱体 CSP-4
封装尺寸 (W x D x H) 0.80 mm x 0.80 mm x 0.40 mm
工作电源电压 1.8 V
工作电源电流 5 uA
工厂包装数量 6000
最大工作温度 + 85C
最小工作温度 - 40 C
检测周期 50 ms
电源电压-最大 3.6 V
电源电压-最小 1.65 V
端接类型 SMD/SMT
类型 Omnipolar Detection Hall IC
说明 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omnipolar Detection Hall IC Dual Outputs
输出类型 CMOS
静电放电 (ESD) 抗扰度 8 kV (HBM)

产品替代

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BU52075GWZ-E2 板机接口霍耳效应/磁性传感器资源附件
文件名称 大小 操作
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bu52075gwz-e2-e 321 B
catch-all_bu52075gwz-e2-e 133.40 KB
reach_bu52075gwz-e2-e 215.62 KB
ear_bu52075gwz-e2-e 134.37 KB
bu52075gwz-e-1139995.pdf 848.27 KB
BU52075GWZ.pdf 911.41 KB
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