ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52075GWZ-E2 板机接口霍耳效应/磁性传感器
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2026-06-28 18:01:16
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BU52075GWZ-E2
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产品概述
BU52075GWZ-E2 是 ROHM Semiconductor 推出的一款双输出全极性检测霍尔效应传感器。该器件能够分别检测磁铁的南磁极和北磁极,并通过两个独立输出端(OUT1 和 OUT2)输出检测结果。该传感器采用间歇性工作模式,以极低的功耗实现磁极检测,适用于需要检测盖板开合状态、显示屏方向或旋转方向的设备。
核心特点/优势
- 全极性检测:支持南磁极和北磁极的独立检测,分别通过 OUT1 和 OUT2 输出。
- 超低功耗:工作电流低至 5 μA,适合电池供电设备。
- 超小型封装:采用 UCSP35L1 封装,尺寸仅为 0.80 mm x 0.80 mm x 0.40 mm。
- 高 ESD 抗扰度:8 kV (HBM),增强设备可靠性。
- 宽电压工作范围:支持 1.65 V 至 3.6 V 电源电压。
- 宽温工作范围:-40°C 至 +85°C,适用于多种环境。
应用领域
- 平板电脑和智能手机:用于检测盖板开合状态。
- 笔记本电脑:用于检测显示屏的开合状态。
- 数字摄像机和数码相机:用于检测显示屏方向或旋转方向。
选型指南/使用建议
BU52075GWZ-E2 采用 CSP-4 封装,适用于表面贴装(SMD/SMT)安装。建议在磁铁与传感器之间保持适当距离以确保检测精度。磁铁推荐使用钕磁铁,以获得更高的磁通密度。在设计中需注意磁铁的安装方向,确保磁场垂直于传感器表面。此外,建议在电源引脚上添加 0.1 μF 的旁路电容以稳定供电。
BU52075GWZ-E2 板机接口霍耳效应/磁性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 磁滞宽度 | 0.9 mT | |
| 工作电流 (Icc) | 5 μA | |
| 工作温度 | -40°C 至 +85°C | |
| 工作电压保护范围 | 1.65 V 至 3.6 V | |
| 输出接口类型 | CMOS | |
| 封装类型 | CSP-4 | |
| RoHS | Y | |
| 灵敏度(最大值) | ±9.5 mT | |
| 产品 | Hall Effect Latches / Switches | |
| 产品类型 | Hall Effect / Magnetic Sensors | |
| 商标 | ROHM Semiconductor | |
| 子类别 | Sensors | |
| 安装风格 | SMD/SMT | |
| 寿命周期 | 新产品: 此制造商的新产品。 | |
| 封装 | Reel | |
| 封装 / 箱体 | CSP-4 | |
| 封装尺寸 (W x D x H) | 0.80 mm x 0.80 mm x 0.40 mm | |
| 工作电源电压 | 1.8 V | |
| 工作电源电流 | 5 uA | |
| 工厂包装数量 | 6000 | |
| 最大工作温度 | + 85C | |
| 最小工作温度 | - 40 C | |
| 检测周期 | 50 ms | |
| 电源电压-最大 | 3.6 V | |
| 电源电压-最小 | 1.65 V | |
| 端接类型 | SMD/SMT | |
| 类型 | Omnipolar Detection Hall IC | |
| 说明 | 板机接口霍耳效应/磁性传感器 Omnipolar Detection Hall IC Dual Outputs | |
| 输出类型 | CMOS | |
| 静电放电 (ESD) 抗扰度 | 8 kV (HBM) |
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