Dowaytech 多维科技 TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器
多维科技 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器 TMR1213
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2025-11-20 01:26:44
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TMR1213
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产品概述
TMR1213是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术的双极锁存磁开关传感器，适用于高灵敏度、高速、低功耗、高精度的应用场景。该传感器在掉电情况下仍能探测磁场极性变化，并通过磁存储单元保存状态，上电后可立即读取最近一次的磁场极性状态。TMR1213内置电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路，可将磁场信号转化为数字电压信号输出。其内部电压稳压器提供温度补偿电源，支持宽电压范围工作，具备高频率响应、低功耗、优越的抗外磁干扰性能和温度稳定性。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻（TMR）技术，灵敏度高
- 超低功耗：1.5μA
- 高频率响应：1kHz
- 双极锁存型开关，具备掉电磁存储功能
- 宽工作电压范围：1.8～5.5 V
- 卓越的温度稳定性
- 优越的抗外磁场性能
应用领域
- 计量仪表（水表、气表、热量表）
- 固态开关
- 速度检测
- 线性及旋转位置检测
- 电梯门机双稳开关
选型指南/使用建议
TMR1213提供两种封装形式：SOT23-3（TMR1213S）和TO92S（TMR1213T），适用于不同应用场景。建议在电源和地之间连接一个0.1μF的滤波电容以降低外部噪声干扰。产品支持-40~125℃的工作温度范围，适用于工业级和消费级应用。在使用时应确保外加磁场不超过4000Gs，并注意避免反向供电电压超过0.3V。
TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| B_op (Gs,25°C) | 75 | |
| B_rp (Gs,25°C) | -75 | |
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR1213 | |
| 供电电压 | 1.8～5.5 V | |
| 兼容型号 | — | |
| 功耗 | 1.5μA | |
| 响应频率 | 1kHz | |
| 回差 (B_H) | 150 Gs | |
| 封装形式 | SOT23-3, TO92S | |
| 工作模式 | 连续供电 | |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ | |
| 工作点磁场 (B_op) | 75 Gs | |
| 工作电压 | 1.8～5.5 V | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 磁存储工作磁场 (B_ops) | 90 Gs | |
| 磁存储释放磁场 (B_rps) | -90 Gs | |
| 类型 | 双极锁存 | |
| 输出接口 | CMOS | |
| 释放点磁场 (B_rp) | -75 Gs |
产品替代
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TMR1213 高灵敏度磁记忆TMR开关传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| index | 670.11 KB | 下载 |
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