Dowaytech 多维科技 TMR9003 高灵敏度、低噪声TMR 线性传感器
多维科技 高灵敏度、低噪声TMR 线性传感器 TMR9003
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2025-11-20 00:02:03
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TMR9003
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产品概述
TMR9003采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR9003性能优越，采用SOP8封装（6mm×5mm×1.5mm），适用于多种高精度磁场检测场景。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻（TMR）技术，实现超高灵敏度（30mV/V/Oe）
- 极低的本底噪声（750pT/√Hz @1Hz），适用于微弱磁场检测
- 宽动态范围和优越的温度稳定性，适合复杂环境应用
- 超低功耗设计，工作电流仅20μA
- 低磁滞（0.1 Oe），提升测量精度
- 宽工作电压范围（0～3 V），无需置位/复位脉冲电路
应用领域
- 微弱磁场检测
- 电流传感器
- 位置传感器
- 生物医疗
- 磁通讯
选型指南/使用建议
TMR9003适用于需要高灵敏度、低噪声和宽动态范围的磁场检测场景。建议在-40～125℃温度范围内使用，供电电压范围为0～3 V。采用SOP8封装，便于集成于各类电子系统中。使用时应避免超过±4000 Oe的冲击磁场，以确保传感器性能稳定。
TMR9003 高灵敏度、低噪声TMR 线性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR9003 | |
| 供电电压 | 0～3 V | |
| 兼容型号 | — | |
| 存储温度范围 | -50～150 ℃ | |
| 封装形式 | SOP8 | |
| 工作温度范围 | -40～125 ℃ | |
| 工作电流 | 20 μA | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 30 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 本底噪声 | 0.75 nT/rt(Hz) @1Hz | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | 0.75 | |
| 灵敏度 | 30 mV/V/Oe | |
| 灵敏度温度系数 | -487～-495 PPM/℃ | |
| 电阻 | 50 kΩ | |
| 电阻温度系数 | 0.1 Oe | |
| 电阻（kΩ） | 50 | |
| 磁滞 | 0.1 Oe | |
| 磁滞（Oe） | 0.1 | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 非线性度 | 0.5 %FS | |
| 饱和场 | ±15 Oe | |
| 饱和场（Oe） | ±15 |
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TMR9003 高灵敏度、低噪声TMR 线性传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
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| index | 720.88 KB | 下载 |
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