Dowaytech 多维科技 TMR9001 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器

多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR9001

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2025-11-19 23:53:16
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产品概述

TMR9001采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。TMR9001性能优越,采用的封装形式:SOP8(6mm×5mm×1.5mm)。该传感器基于隧道磁电阻(TMR)技术,具有高灵敏度、低噪声、低功耗和优越的温度稳定性。

核心特点/优势

  • 采用隧道磁电阻(TMR)技术,实现更高灵敏度(~300mV/V/Oe)
  • 极低的本底噪声(150pT/√Hz@1Hz),适用于微弱磁场检测
  • 超低功耗设计,工作电流仅20μA
  • 优越的温度稳定性,适用于宽温环境(-40~125℃)
  • 极低磁滞(0.1 Oe),提升测量精度
  • 宽工作电压范围(0~3 V),适应多种供电需求
  • 无需置位/复位脉冲电路,简化系统设计

应用领域

  • 微弱磁场检测
  • 电流传感器
  • 位置传感器
  • 生物医疗
  • 磁通讯

选型指南/使用建议

TMR9001采用SOP8封装,尺寸为6mm×5mm×1.5mm,适合空间受限的应用场景。推荐工作电压为1V~3V,典型工作电压为1V。建议在±0.5Oe范围内进行磁场测量以获得最佳线性度。产品适用于-40~125℃的工作温度范围,存储温度范围为-50~150℃。引脚定义中,引脚5为电源(Vcc),引脚6和7为差分输出(V+和V-),引脚8为地(GND),引脚1~4为无连接(N/A)。

TMR9001 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器选型参数

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交付周期 In stock
产品型号 TMR9001
供电电压 0~3 V
兼容型号
失调电压 15 mV/V
存储温度范围 -50~150 ℃
封装形式 SOP8
工作温度范围 -40~125 ℃
工作电流 20 μA
敏度(mV/V/Oe) 300
敏感方向 X轴
本底噪声 0.15 nT/rt(Hz) @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) 0.15
灵敏度 300 mV/V/Oe
灵敏度温度系数 52 PPM/℃
电阻 50 kΩ
电阻温度系数 -924 PPM/℃
电阻(kΩ) 50
磁滞 0.1 Oe
磁滞(Oe) 0.1
磁阻结构 全桥
非线性度 1 %FS
饱和场 ±4 Oe
饱和场(Oe) ±4

产品替代

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