Dowaytech 多维科技 TMR2905 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器

多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR2905

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2025-11-19 23:44:44
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产品概述

TMR2905采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2905性能优越,适用于高精度磁场检测场景。

核心特点/优势

  • 采用隧道磁电阻(TMR)技术,实现更高灵敏度(50~60 mV/V/Oe)
  • 本底噪声极低(<2 nT/rt(Hz) @1Hz)
  • 宽动态范围与宽工作电压范围(0~7 V)
  • 优越的温度稳定性与低磁滞(<0.8 Oe)
  • 低功耗设计,适用于多种应用场景

应用领域

  • 微弱磁场检测
  • 电流传感器
  • 位置传感器

选型指南/使用建议

TMR2905提供两种封装形式:SOP8(命名为TMR2905P)和DFN8(命名为TMR2905D),并提供两种电阻值版本:5kΩ(TMR2905S)和45kΩ(TMR2905B)。建议根据具体应用需求选择合适的封装和电阻配置。工作电压范围宽,适用于多种供电环境。使用时需注意避免超过最大外加冲击磁场(4000 Oe)。

TMR2905 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器选型参数

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交付周期 In stock
产品型号 TMR2905
供电电压 0~7 V
供电电压范围 0~7 V
兼容型号
失调电压 -30~30 mV
存储温度范围 -50~150 ℃
封装形式 SOP8, DFN8L(3×3×0.75)
工作温度范围 -40~125 ℃
工作电流 0.2~0.02 mA
敏度(mV/V/Oe) 45~65
敏感方向 Y轴
本底噪声 <2 nT/rt(Hz) @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~2
灵敏度 45~65 mV/V/Oe
灵敏度温度系数 -1100 PPM/℃
电阻值 2~8 kΩ (TMR2905S), 35~55 kΩ (TMR2905B)
电阻值温度系数 -500 PPM/℃
电阻(kΩ) 45,2~8
磁滞 <0.8 Oe
磁滞(Oe) <0.8
磁阻结构 全桥
非线性度 2 %FS
饱和场(Oe) ±11
饱和磁场 ±11 Oe

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