Dowaytech 多维科技 TMR2901 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器

多维科技 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器 TMR2901

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2025-11-19 23:39:54
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产品概述

TMR2901采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个高灵敏度TMR传感器元件。该传感器基于隧道磁电阻(TMR)技术,具有高灵敏度、低噪声、低功耗、优越的温度稳定性等特性。产品提供SOP8(6mm x 5mm x 1.5mm)和DFN8(3mm x 3mm x 0.75mm)两种封装形式,适用于多种工业和消费类应用场景。

核心特点/优势

  • 采用TMR技术,灵敏度高达25 mV/V/Oe
  • 本底噪声低至2 nT/√Hz @1Hz,适合微弱磁场检测
  • 磁滞仅为0.2 Oe,响应更稳定
  • 工作电压范围宽(0~7 V),无需置位/复位脉冲电路
  • 温度稳定性优异,适用于宽温环境(-40~125 ℃)
  • 低功耗设计,工作电流仅0.1 μA

应用领域

  • 微弱磁场检测
  • 电流传感器
  • 位置传感器

选型指南/使用建议

TMR2901适用于需要高精度磁场检测的场景,推荐在1V供电条件下使用以获得最佳性能。产品提供SOP8和DFN8两种封装形式,便于在不同空间限制下进行选型。使用时应避免超过4000 Oe的冲击磁场,并确保工作温度在-40~125 ℃范围内。

TMR2901 更高灵敏度、更低噪声TMR 线性传感器选型参数

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交付周期 In stock
产品型号 TMR2901
供电电压 0~7 V
兼容型号
失调电压 -10~10 mV
失调电压温度系数 -500 mV/V/℃
存储温度范围 -50~150 ℃
封装形式 SOP8 DFN8L(3×3×0.75)
工作温度范围 -40~125 ℃
工作电流 0.1 μA @1V
敏度(mV/V/Oe) 25
敏感方向 Y轴
本底噪声 2 nT/√Hz @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~2
灵敏度 25 mV/V/Oe
灵敏度温度系数 -1100 PPM/℃
电阻值 45.7~10 kΩ
电阻(kΩ) 45,7~10
磁滞 0.2 Oe
磁滞(Oe) 0.2
磁阻结构 全桥
非线性度 0.3 %FS
饱和场 ±20 Oe
饱和场(Oe) ±20

产品替代

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