Dowaytech 多维科技 TMR2705 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器

多维科技 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器 TMR2705

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2025-11-19 23:34:53
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产品概述

TMR2705 是基于第四代磁感应技术——隧道磁阻技术(TMR)的线性传感器,可感应平行于芯片表面的磁场强度。TMR2705 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。

核心特点/优势

  • 采用隧道磁电阻(TMR)技术,具有高灵敏度和低磁滞特性
  • 工作电压范围宽(0~7 V),适用于多种供电环境
  • 具备优越的温度稳定性,适用于复杂环境下的磁场检测
  • 封装尺寸小(3×3×0.75 mm),便于集成
  • 低功耗设计,适合对功耗敏感的应用场景

应用领域

  • 磁力计
  • 电流检测
  • 弱磁检测

选型指南/使用建议

TMR2705 适用于需要高灵敏度、低磁滞磁场检测的场景,推荐在±25 Oe 磁场范围内使用。建议工作电压为 1~7 V,工作温度范围为 -40℃ 至 125℃。封装形式为 DFN8L(3×3×0.75 mm),便于在紧凑空间内集成。使用时应避免超过最大外加冲击磁场(4000 Oe)。

TMR2705 高灵敏度、低磁滞TMR线性传感器选型参数

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交付周期 In stock
产品型号 TMR2705
供电电压 0~7 V
兼容型号 TMR705
封装形式 DFN8L(3×3×0.75)
敏度(mV/V/Oe) 20
敏感方向 X轴
本底噪声 ~10 nT/rt(Hz) @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~10
灵敏度 20 mV/V/Oe
电阻 65 kΩ
电阻(kΩ) 65
磁滞 0.3 Oe
磁滞(Oe) 0.3
磁阻结构 全桥
饱和场 ±25 Oe
饱和场(Oe) ±25

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