Dowaytech 多维科技 TMR2305M 三轴TMR线性传感器

多维科技 三轴TMR线性传感器 TMR2305M

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2025-11-19 22:55:35
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产品概述

TMR2305M 是一款三轴隧道磁电阻(TMR)线性传感器,采用三个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,每个轴提供差分电压输出,具有良好的温度稳定性。该传感器适用于三维磁场测量,具备高灵敏度、低噪声、宽动态范围和低功耗等优点。

核心特点/优势

  • 采用隧道磁电阻(TMR)技术,灵敏度高达 25 mV/V/Oe
  • 本底噪声低至 2 nT/√Hz @1Hz
  • 支持 X/Y/Z 三轴线性感应
  • 具备优越的温度稳定性
  • 宽工作电压范围(0~7 V)
  • 低功耗设计
  • 无需置位/复位脉冲电路
  • 封装尺寸小(9.5 x 9.5 x 6 mm)

应用领域

  • 三维空间测量
  • 微弱磁场检测
  • 电流传感器
  • 位置传感器

选型指南/使用建议

该传感器适用于需要高精度磁场测量的工业、科研和消费电子领域。建议在 0~7 V 电压范围内供电,工作电流为 0.3 mA(@1V)。封装形式为 Module,尺寸为 9.5 x 9.5 x 6 mm,便于集成于小型设备中。

TMR2305M 三轴TMR线性传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
电 气
供电电压 0~7 V
更多规格
交付周期 In stock
产品型号 TMR2305M
供电电压 0~7 V
兼容型号
功耗 低功耗
动态范围 极宽动态范围
封装形式 Module(9.5 x 9.5 x 6 mm)
工作电流 0.3 mA @1V
敏度(mV/V/Oe) 25
敏感方向 X/Y/Z轴
本底噪声 ~2 nT/√Hz @1Hz
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz) ~2
温度稳定性 优越的温度稳定性
灵敏度 25 mV/V/Oe
电阻 9 kΩ
电阻(kΩ) 9
磁滞 1 Oe
磁滞(Oe) 1
磁阻结构 全桥
饱和场 ±10 Oe
饱和场(Oe) ±10

产品替代

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