产品概述
TMR2001采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2001性能优越，采用SOT23-5（3mm×3mm×1.45mm）封装形式。
核心特点/优势
- 采用隧道磁电阻（TMR）技术，具有高灵敏度和宽动态范围
- 低功耗设计，工作电流仅16 μA
- 优越的温度稳定性，适用于复杂环境
- 差分输出结构，抗干扰能力强
- 封装尺寸小，便于集成
应用领域
- 磁力计
- 电流传感器
- 角度传感器
- 位置传感器
选型指南/使用建议
TMR2001适用于需要高精度磁场检测的场景，推荐在供电电压为1V至7V之间使用。建议在-40℃至125℃的温度范围内工作，以确保最佳性能。产品采用SOT23-5封装，便于在紧凑空间内集成。使用时需注意磁场方向与敏感轴对齐，以获得最佳线性输出。
TMR2001 TMR线性传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 更多规格 | ||
| 交付周期 | In stock | |
| 产品型号 | TMR2001 | |
| 供电电压 | 0～7 V | |
| 兼容型号 | — | |
| 失调电压 | -30~30 mV | |
| 失调电压温度系数 | 0.02 mV/℃ | |
| 存储温度范围 | -50~150 ℃ | |
| 封装形式 | SOT23-5 | |
| 工作温度范围 | -40~125 ℃ | |
| 工作电流 | 16 μA | |
| 敏度（mV/V/Oe） | 8 | |
| 敏感方向 | X轴 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz） | / | |
| 灵敏度 | 8 mV/V/Oe | |
| 灵敏度温度系数 | -1160 ppm/℃ | |
| 电阻 | 60 kΩ | |
| 电阻（kΩ） | 60 | |
| 磁滞 | 0.4 Oe | |
| 磁滞（Oe） | 0.4 | |
| 磁阻结构 | 全桥 | |
| 非线性度 | 1.2 %FS | |
| 饱和场 | ±25 Oe | |
| 饱和场（Oe） | ±25 |
产品替代
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TMR2001 TMR线性传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| index | 556.46 KB | 下载 |
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