产品概述
BU52012HFV 是 ROHM Semiconductor 推出的一款霍尔效应接近传感器，采用单极霍尔IC技术，能够检测磁场的N极或S极。该传感器在检测到目标磁场后输出低电平信号，适用于对单极磁场检测有严格要求的应用场景，同时具备较低的功耗。
核心特点/优势
- 采用单极霍尔IC技术，仅检测N极或S极，确保检测精度
- 输出为低电平有效，便于与数字电路集成
- 功耗较低，适合对能耗敏感的应用
- 工作温度范围宽，适用于多种工业和消费类电子环境
BU52012HFV 接近传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 环 境 | ||
| 工作温度 | -40 to 185 F (-40 to 85 C) | |
| 更多规格 | ||
| 产品类别 | 接近传感器 | |
| Sensor Technology | Hall Effect Proximity Sensor | |
| 工作温度范围 | -40 to 185 F (-40 to 85 C) | |
| 技术类型 | 霍尔效应接近传感器 |
产品替代
找到 个替代产品
温馨提示
若上述内容存在差异，请以产品手册为准。
如需获取样品、技术支持或完整规格书，请点击联系销售。
声明：本产品内容及配图源自互联网收集或平台用户自行上传，目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点或证实其内容真实性，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如涉及作品内容、版权等问题，请联系本网处理，侵权内容将在一周内下架整改。
接近传感器相关品牌
广告
接近传感器同类产品
加载中···
