ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52061NVX 接近传感器

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2026-06-29 13:13:35
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产品概述

BU52061NVX 是 ROHM Semiconductor 推出的一款霍尔效应接近传感器,采用全极检测技术,能够同时检测 S 极和 N 极磁场,简化了磁体管理。该传感器具有高精度灵敏度和低色散特性,适用于多种电子设备中的磁场检测需求。

核心特点/优势

  • 全极检测,支持 S 极和 N 极磁场检测
  • 低功耗设计,平均供电电流为 4.0 μA
  • 高精度灵敏度,操作点磁场强度为 +/-3.3 mT
  • 支持 CMOS 输出,适用于多种数字接口
  • 超小型封装 SSON004X1216,节省空间
  • 宽工作温度范围:-40 to 85 °C
  • 支持间歇操作模式,进一步降低功耗

应用领域

  • 移动电话
  • 笔记本电脑
  • 数字摄像机
  • 数码相机
  • 白色家电

选型指南/使用建议

BU52061NVX 适用于需要低功耗、高精度磁场检测的应用场景。建议在设计时考虑其供电电压范围(1.65~3.60 V)和工作温度范围(-40 to 85 °C),确保在目标环境中稳定运行。该传感器采用 SSON004X1216 封装,适合对空间要求较高的应用。在使用时,需注意磁体的极性方向,以确保传感器能够正确响应。

BU52061NVX 接近传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
特 性
输出方式 CMOS
环 境
工作温度 -40 to 185 F (-40 to 85 C);-40 to 85 °C
更多规格
供电电流(平均) 4.0 μA
检测周期 50 ms
迟滞 0.9 mT
封装形式 SSON004X1216
产品类别 Proximity Sensors
Sensor Technology Hall Effect Proximity Sensor
工作电压范围 1.65~3.60 V
工作模式 全极检测
操作点磁场强度 +/-3.3 mT
静电放电(ESD)抗扰度 未提供

产品替代

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BU52061NVX 接近传感器资源附件
文件名称 大小 操作
bu52001gul-e 678.62 KB
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