ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52055GWZ 接近传感器

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2026-06-28 12:39:05
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产品概述

ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52055GWZ 是一款全极检测霍尔效应接近传感器,能够同时检测S极和N极磁场,简化了磁铁管理。该传感器采用间歇操作方法实现微功耗运行,适用于多种低功耗应用场景。其超小型封装(UCSP35L1)使其非常适合空间受限的设备。

核心特点/优势

  • 全极检测能力,可同时检测S极和N极磁场
  • 微功耗运行,平均电流仅5.0 μA
  • 超小型封装(UCSP35L1),节省空间
  • 高ESD抗扰能力,达8kV(HBM)
  • 支持宽电压范围(1.65~3.60 V),适用于多种供电系统
  • CMOS输出,兼容性强
  • 低待机电流(1.8 μA),适合电池供电设备

应用领域

  • 移动电话
  • 笔记本电脑
  • 数字摄像机
  • 数码相机
  • 白色家电

选型指南/使用建议

BU52055GWZ 适用于需要低功耗、小尺寸和全极检测能力的霍尔效应传感器应用。建议在-40°C至+85°C的温度范围内使用,供电电压范围为1.65~3.60 V。在设计时需注意其启动电流为2.8 mA,待机电流为1.8 μA,适合电池供电设备。推荐使用UCSP35L1封装,适用于高密度PCB布局。

BU52055GWZ 接近传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
环 境
工作温度 -40 to 185 F (-40 to 85 C)
更多规格
产品类别 Proximity Sensors
Sensor Technology Hall Effect Proximity Sensor
供电电压范围 1.65~3.60 V
启动电流 2.8 mA
周期 50 ms
封装类型 UCSP35L1
工作温度范围 -40 to 85 °C
工作点磁场强度 +/-4.1 mT
平均供电电流 5.0 μA
待机电流 1.8 μA
磁滞 0.8 mT
输出低电平电压 ≤0.2 V
输出类型 CMOS
输出高电平电压 VDD - 0.2 V
释放点磁场强度 1.5~3.3 mT

产品替代

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bu52001gul-e 678.62 KB
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