产品概述
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BU52011HFV 是一款霍尔效应接近传感器，采用全极检测技术，能够同时检测 S 极和 N 极磁场，从而简化磁铁管理。该传感器适用于多种电子设备，包括移动电话、笔记本电脑、数字摄像机、数码相机和白色家电等。
核心特点/优势
- 全极检测能力，支持 S 极和 N 极磁场检测
- 微功耗运行，适用于电池供电设备
- CMOS 输出类型，兼容性强
- 超小型 HVSOF5 封装，节省空间
- 支持 1.65~3.30 V 供电电压，适应多种电源环境
- 高抗静电能力，ESD 抗扰度达 8kV（HBM）
应用领域
- 移动电话
- 笔记本电脑
- 数字摄像机
- 数码相机
- 白色家电
选型指南/使用建议
BU52011HFV 适用于需要检测磁场接近的应用场景，建议在 -40~85 °C 的工作温度范围内使用。供电电压范围为 1.65~3.30 V，需确保电源稳定。该传感器采用 HVSOF5 封装，适合对空间要求较高的设计。在使用时，需注意磁场方向与传感器检测面的对齐，以确保最佳检测性能。
BU52011HFV 接近传感器选型参数
| 规格项 | 参数值 | 勾选搜索替代 |
| 环 境 | ||
| 工作温度 | -40 to 185 F (-40 to 85 C) | |
| 更多规格 | ||
| 产品类别 | Proximity Sensors | |
| Sensor Technology | Hall Effect Proximity Sensor | |
| 供电电压范围 | 1.65~3.30 V | |
| 周期 | 50 ms | |
| 封装类型 | HVSOF5 | |
| 工作温度范围 | -40 to 85 °C | |
| 工作点磁场强度 | +/-3.0 mT | |
| 平均供电电流 | 5.0 μA | |
| 磁滞 | 0.9 mT | |
| 输出类型 | CMOS |
产品替代
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资料下载
BU52011HFV 接近传感器资源附件
| 文件名称 | 大小 | 操作 |
|---|---|---|
| bu52001gul-e | 678.62 KB | 下载 |
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