ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BD7411G 接近传感器

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2026-06-28 12:29:07
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产品概述

ROHM Semiconductor BD7411G 是一款霍尔效应接近传感器,采用霍尔集成电路技术,能够同时检测S极和N极磁场,简化了磁铁管理。该传感器适用于多种电子设备,如移动电话、笔记本电脑、数字摄像机、数码相机和白色家电等。

核心特点/优势

  • 全极检测能力,可同时检测S极和N极磁场
  • 支持5V供电电压,适用于多种电源系统
  • CMOS输出类型,兼容性强
  • SSOP5封装,节省空间,适合紧凑型设计
  • 工作温度范围宽,从-40°C到85°C,适用于多种环境
  • 存储温度范围宽,从-55°C到150°C,适应性强

应用领域

  • 移动电话
  • 笔记本电脑
  • 数字摄像机
  • 数码相机
  • 白色家电

选型指南/使用建议

BD7411G适用于需要检测磁场接近的应用场景,建议在4.5V至5.5V的供电电压范围内使用。该传感器支持S极和N极磁场检测,适用于多种磁铁配置。在使用时,需确保工作环境温度在-40°C至85°C之间,并注意存储温度范围为-55°C至150°C。推荐使用SSOP5封装,便于集成到紧凑型设备中。

BD7411G 接近传感器选型参数

规格项 参数值 勾选搜索替代
环 境
工作温度 -40 to 185 F (-40 to 85 C)
更多规格
产品类别 Proximity Sensors
Sensor Technology Hall Effect Proximity Sensor
供电电压范围 4.50~5.50 V
存储温度范围 -55 to 150 °C
封装形式 SSOP5
工作温度范围 -40 to 85 °C
工作磁场范围 +/-3.4 mT
平均工作电流 2.0 mA
输出低电平电压 ≤0.2 V
输出类型 CMOS
输出高电平电压 VDD - 0.2 V
迟滞范围 0.4 mT

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